技术文章
| 总数:757 现显示第3页，共38页 |
|
SiC MOSFET驱动负压关断模式在很多应用场景中会影响器件开关的可靠性。跟Si功率器件比较，SiC MOSFET开关速度较快、dv/dt高，容易造成栅极串扰。 下一代 沟槽器件技术 2023-9-19
九峰山实验室聚焦于下一代SiC 沟槽器件领域的研究，集中资源开发了SiC 沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺，形成了自主可控的成套工艺技术。接下来，本文将围绕下一... 硅基化合物异质集成技术 2023-9-11
硅基半导体作为现代微电子产业的基石，其遵循摩尔定律在集成电路中的发展已接近物理极限。 反向极化为绿光LED注入活力 2023-9-4
切换到一种p-down架构使得绿色LED产生了接近理论值的工作电压 控制SiC MOSFET阈值电压的不稳定性 2023-8-29
系统设计人员现在可以从SiC MOSFET的新测试和应力程序中获益，该程序可以真实地确定其最坏情况下的阈值电压变化。 现在是将GaN IC商业化的时候了 2023-8-24
在单个GaN芯片中结合多个电力电子功能的功率IC将在全球电气化中发挥重要作用 展示MBE大批量生产的资质 2023-8-17
我们都会做出概括性的判断。有时，我们会因此而被提出异议，其他人可能会指出一些特例，并在我们的判断中挑出漏洞。但是，尽管有这样的告诫，我们很快就会回到我们的老路上。毕竟，当我们试图得出... 低功耗 MOSFET的发展 2023-8-11
随着电动汽车的发展，汽车功率器件芯片也正在寻求能够有效处理更高工作电压和温度的组件。此时SiC MOSFET 成为牵引逆变器等电动汽车构建模块的首选技术。基于 的逆变器可使高达 800 V 的电气... 降低 Ⅲ-Ⅴ 族外延成本 2023-8-2
一种加速生长、确保高质量界面并允许包含铝合金的 HVPE 的激进形式将彻底改变 Ⅲ-Ⅴ器件的生产 采用超薄ITO界面层在N极性面上获得低接触电阻率的... 2023-7-28
本文首次研究了一种基于氧化铟锡（ITO）/Ti/Al/Ni/Au的高性能氮化镓肖特基势垒二极管（SBD）的欧姆接触结构。 用X射线形貌技术检查SiC 2023-7-25
X射线形貌法已经在彻底改变SiC晶圆中位错的量化技术，现在可以以高通量的形式获得，这加速了技术推广应用进展。 制造可商业化的金刚石衬底 2023-7-20
得益于用于制造2英寸衬底的异质外延生长工艺的开发，金刚石将服务于更多的高端应用。 立方SiC：电力电子行业的明日冠军 2023-7-19
立方SiC具有与硅相同的晶体结构，同时具有更宽的带隙和高可靠性的潜力，是什么能阻止立方法SiC在未来的电力电子行业中发挥重要作用呢？ 干货！用于车载充电器应用的1200 V SiC MOSFET模块... 2023-6-7
安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技术的汽车模块设计领域表现出色，现在推出了一系列 SiC MOSFET 模块以改进 OBC 设计，包括使用 1200 V SiC 器件的 PFC 和 DC/DC 模块。本应用笔记将介绍这些模... 优化UV LED的隧道结 2023-5-29
俄亥俄州立大学和桑迪亚国家实验室的一个团队在这方面取得了突破。它们通过具有成分分级和高水平硅掺杂的AlGaN隧道结来满足所有这些目标。 OLED能映射磁场吗？ 2023-5-18
新南威尔士大学的研究人员已经证明，OLED可以用来绘制磁场图。这项由新南威尔士大学物理学院的Rugang Geng和Dane McCamey领导的最新研究发表在《自然通讯》上。 开创性N极性HEMT 2023-5-18
美国的一项合作声称已经在单晶AlN衬底上制造了第一个N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT。 该团队是康奈尔大学、圣母大学和旭化成公司的合作伙伴，他们表示，这些晶体管有潜力利用AlN的热处理和功率处理能... 帆宣集团 华友化工分公司代理美国康宁晶片表面形态... 2023-5-17
帆宣系统科技股份有限公司成立于1988年，一向专注于半导体、平面显示器设备及耗材代理 ，近年来更进一步跨入LED光电制程设备制造与技术开发，并布局太阳能、雷射应用及锂电池等产业，持续创新朝多... DBR设计提升倒装芯片mini-LED的效率 2023-5-8
武汉大学和中国Guangdong Gancom Optoelectronics Technology有限公司的研究人员报道了高反射率多层Ti3O5/SiO2 DBR，以提高GaN基蓝色倒装芯片（FC）mini-LED的光输出功率（LOP）。 从薄层到堆叠 2023-5-8
东京都立大学的科学家成功地设计了过渡金属二硫属化合物（TDMC）的多层纳米结构，这些结构在平面内相遇形成结。
| 总数:757 现显示第3页，共38页 |
|
粤公网安备 44030402004706号