技术文章
| 总数:757 现显示第6页，共38页 |
|
伊隆·马斯克(Elon Musk)不是一个循规蹈矩的企业家。相反，他一边引领着商业太空竞赛，一边在加密货币游戏中扮演着大师的角色，更在不久之前完成了一笔收购Twitter的交易，这对投资者和这家社交网... 高温SOI技术的发展现状和前景 2023-1-2
高温绝缘层上硅（SOI）技术突破了体硅半导体器件的高温困境，已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来，第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及，其中SiC器件以... 紫外线激光器实现连续激射 2022-12-30
日本的一个研究小组声称，他们已经生产出了第一个在UVC中提供连续激射的激光二极管,其光谱范围为 280 nm 至 200 nm。由Asahi Kasei 公司和名古屋大学合作生产的该器件运行在5℃下，在275 nm处发出... 蒸汽退火增强InP HEMT性能 2022-12-30
来自富士通的工程师已经实现了InP HEMT在宽偏压范围内的高频性能，其制造工艺涉及对Al2O3栅电介质进行蒸汽退火。 优化汽车应用的驾驶循环仿真 2022-12-29
（SiC）已经改变了许多行业的电力传输，尤其是电动汽车（EV）充电和车载功率转换部分。由于 SiC 具备卓越的热特性、低损耗和高功率密度，因此相对Si与 IGBT等更传统的技术，具有更高的效率... 氧化镓晶体生长方法的选择 2022-12-29
超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率的特殊候选者。 促进航空电子系统设计演进 2022-12-29
随着 半导体技术的进步，航空电子系统也呈现了新的发展趋势。 功率器件的成熟极大地促进了航空机载传感器、执行机构和控制系统以及电源系统设计等层面的演进，具体体现在航空电子控制系... 通过衬底驱动应变调控为高性能UVB-LED的制备铺平道... 2022-12-29
铝镓氮（AlGaN）基紫外B波段（UVB）发光二极管（LEDs）在光疗、促进维生素D3合成、植物生长调控等方面显示出巨大的潜力。然而，UVB-LED的多量子阱（MQWs）由于与AlN衬底之间存在较大的晶格失配会... 用复合晶体管开辟新天地 2022-12-29
我们这个星球的温度正在上升，这将给人类带来可怕的后果。正因为如此，全球碳排放量迅速下降至关重要。为此目标，我们必须在许多方面采取行动，包括采用新的方法来创造、分配和使用能源。 剥离AlGaN薄膜 2022-12-29
缺少一种令人满意的剥离绝缘衬底方法，是实现AlGaN垂直器件的关键障碍。但是日本的一个工程师团队创新了一种方法解决了此难题。他们将基于AlGaN的器件浸入水中加热到115°C，同时加压到170千帕实... SiN降低了高速HEMT的电阻 2022-12-29
中国西安电子科技大学的工程师们通过原位插入SiN，已经显著降低了具有高铝组分AlGaN阻挡层GaN基HEMTs的接触电阻。该突破有望促进HEMTs工作在40 GHz以上。这些器件中，高铝组分AlGaN势垒增强了晶体... 量子点可以更大更好 2022-12-26
伊利诺伊大学芝加哥分校的研究人员参与的一项新研究在多功能光子纳米材料的合成方面取得了里程碑。在美国化学学会期刊《纳米快报》上发表的一篇论文中，他们报道了 “巨型”核壳量子点... 解决 mMIMO PA 设计挑战 2022-12-22
大规模多输入多输出（mMIMO）系统设计人员在提高整体系统效率时正面临着挑战。在瞬时带宽达到 200 MHz 及以上时，降低功率放大器（PA）在非线性区域工作时产生的失真变得愈发重要。平衡宽带系统线... 钙钛矿太阳能电池的耐用性足以与硅匹配 2022-12-22
牛津大学和Exciton Science的研究人员已经展示了一种新的方法来制造稳定的钙钛矿太阳能电池，其缺陷更少，最终有可能与硅的耐久性相媲美。 是时候消灭死区时间了 2022-12-13
死区时间是指当接通时间重叠将导致交叉导通电流时，两个器件的关断和接通之间所需的延迟。图1显示了同步降压转换器的一个典型示例，其中Q1和Q2的同时导通会导致输入电压（VIN）短路，这会导致额外... 实现更小、更轻、更平稳的电机驱动器的氮化镓器件... 2022-12-12
目前的永磁电机或称为直流无刷电机(BLDC)的应用非常广泛。与其他电机相比，永磁电机可提供每立方英寸更高的扭矩和更优越的动态性能。到目前为止，硅基功率器件在逆变器电子领域中一直占主导地位。... 电源管理方案搭配可配置数字栅极驱动助力实... 2022-12-9
绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。 （SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室... 的自动单晶圆灰化 2022-12-9
灰化，即从蚀刻晶圆上去除并清洁称为光刻胶的光敏涂层，是芯片制造中最重要和最经常执行的步骤之一。在此步骤中，光刻胶有机物被 “燃烧”，使用的工具通过在低压下将氧气或氟气暴露于高功率无线... 低沟道损伤高电流密度的氮化镓增强型射频器件及实... 2022-12-8
在一项最近发表的研究中，西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心的研究人员利用强极化薄势垒AlN/GaN异质结构和远程等离子体辅助热氧化法制备了增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)，实现了低... 将透明导电氧化物引入深紫外 2022-12-4
在透明导电氧化物（TCO）领域，铟锡氧化物（ITO）是一种富含In2O3和SnO2的化合物，长期以来一直占据着主导的地位：它价格低廉，易于沉积成薄膜，在波长超过350 nm时提供90%的透过率，与标准的制造...
| 总数:757 现显示第6页，共38页 |
|
粤公网安备 44030402004706号