技术文章
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揭示 GaN-on-silicon HEMTs 中衬底导电的起源 超晶格显示超发光特性 2021-6-7
超晶格显示超发光特性 打造更健康的 LED 灯泡 2021-6-3
打造更健康的 LED 灯泡 一种更安全、更环保的太阳能电池制造方法 2021-6-2
一种更安全、更环保的太阳能电池制造方法 超灵敏光探测器采用阶梯效应 2021-6-1
超灵敏光探测器采用阶梯效应 通过热循环增强蓝宝石上氮化铝模板的质量 2021-5-26
通过热循环增强蓝宝石上氮化铝模板的质量 Skoltech团队研究InAs表面 2021-5-26
Skoltech团队研究InAs表面 量子阱：实现高效能量收集的途径 2021-5-25
量子阱：实现高效能量收集的途径 “分子胶”使钙钛矿电池更可靠 2021-5-19
“分子胶”使钙钛矿电池更可靠 从蓝色转变为红色以获得更好的Micro-LED 2021-5-18
从蓝色转变为红色以获得更好的Micro-LED Mist-CVD增强了MIS-HEMT 2021-5-17
Mist-CVD增强了MIS-HEMT 阶梯形量子阱可提高黄色LED的效率 2021-5-12
阶梯形量子阱可提高黄色LED的效率 Nichia提高了蓝色和绿色VCSEL效率的标准 2021-5-11
Nichia提高了蓝色和绿色VCSEL效率的标准 混合钙钛矿中的氢... 2021-5-10
混合钙钛矿中的氢... NREL团队制造了类似突触的钙钛矿晶体管 2021-5-8
NREL团队制造了类似突触的钙钛矿晶体管 一种发现GaN缺陷的新方法 2021-5-7
大阪大学的研究小组报道了一种识别GaN衬底中螺穿透纹位错的无损方法 二维三溴化铬显示了新型电子产品的发展方向 2021-5-6
二维三溴化铬显示了新型电子产品的发展方向 SMART突破实现Twistronics 2021-4-28
SMART突破实现Twistronics 科学家深入研究共振隧穿二极管 2021-4-27
科学家深入研究共振隧穿二极管 利用钙钛矿作为催化剂，二氧化碳变燃料 2021-4-26
利用钙钛矿作为催化剂，二氧化碳变燃料
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