具有介电镜和GaN基镜的VCSEL打破了效率记录
Nichia声称已打破基于GaN的蓝色和绿色VCSEL的效率记录
在三月份的SPIE Photonics West会议上宣布的这一胜利,由这家日本LED和激光二极管制造商重回了基于GaN的VCSEL开发的最前沿。 Nichia早在十多年前就率先推出此类激光器,生产了世界上第一款在室温下以连续波模式工作的GaN基VCSEL,之后似乎放弃了多年的进一步发展。
Terao先生代表公司在Photonics West上发表讲话时透露,这些VCSEL的主要目标是智能眼镜中的光源。在这些视网膜显示器中,红色,绿色和蓝色光源最多只需要产生一毫瓦的功率,这是该团队的最新激光器所能达到的规格。
Terao说,在智能眼镜中使用VCSEL而不是边缘发射激光器的优点之一是低得多的阈值电流。由于发射量降低了一个数量级,因此约为1 mW,而不是10 mW或更高。由于较低的阈值电流,功耗降低,从而延长了电池寿命。
“ VCSEL的另一个特点是峰值功率饱和,由于自加热,其输出功率低于边缘发射激光器的输出功率。”Terao说, “这确保了眼睛的安全。”
Nichia首次涉足VCSEL开发,取得了许多初步成功。那个时代的里程碑包括2008年以连续模式工作的发射紫色光的室温VCSEL,以及2011年和2012年的蓝绿VCSEL。
但是,这种设计的制造工艺,以一对介电镜为特征,与大规模生产不兼容。为了定义空腔的尺寸,必须从基板上去除外延层并抛光至理想厚度。不幸的是,这不能常规地在纳米尺度上完成,从而妨碍了以可接受的产量进行大规模生产。
为了克服这个问题,Terao及其同事已经转向一种设计,该设计结合了基于Al0.8In0.2N / GaN分布式布拉格反射器底镜和电介质顶镜。尽管他们不是该体系结构的先驱,但他们已经取得了重大进展,包括首次发射绿色激光,以及各种形式的GaN基VCSEL的破纪录效率。
该团队生产的蓝色VCSEL具有:由SiO2和Nb2O5配对制成的电介质DBR;通过钝化p-GaN表面定义的直径为4 µm的孔;腔长度仅为4.5λ,确保这种设计对于单模激光而言足够短。
这些器件的发射波长为442.3 nm,具有0.40 mA和3.75 V的阈值电流和电压,并产生13.6%的电光转换效率。对其中七个器件的测量表明,在25℃下运行时可产生0.6 mW的功率,可显示超过1000小时的稳定连续波运行。
这些蓝色VCSEL由2英寸GaN衬底的外延片制备,其成品率超过90%。该图考虑了小于4毫米的去除区,去除了非常靠近晶圆边缘的材料,因为该区域光刻工艺不稳定。
在1 mA,3 mA和5 mA的驱动电流下测量发现VCSEL有一个单峰,表明VCSEL具有稳定的单个纵向和单个横向模式。由于自加热导致的折射率变化,发射波长偏移了0.11 nm / mA。 Terao称,对自加热的进一步研究发现0.017 nm / degC的变化小于边发射激光器的变化。
这个团队的绿色VCSEL的设计与其蓝色表亲非常相似。 Terao说,主要的区别是更大的孔径-它已从4 µm扩大到5 µm-以防止驱动电压增加。绿色VCSEL还具有较薄的有源层,以抑制压电场。
绿色VCSEL的发射波长为514.9 nm,其特性包括:电光转换效率为3.7%,阈值电压为5.02 V,阈值电流为2.8 mA。光输出功率超过1.5 mW,打破了Sony以前的0.1 mW记录。
K. Terao et al. SPIE Photonics West 11686-1 (2021)
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