Skoltech团队研究InAs表面

自然电子积累显示了新的低维量子系统的潜力

Skoltech研究人员一直在研究InAs的电子特性，InAs是一种广泛用于IR光电二极管的半导体，并被提议作为替代红外激光器和太赫兹振荡器的组成部分。该论文发表在《物理化学化学物理学》杂志上。

“对材料特性的研究需要对它的表面结构有详细的了解，这可能表现出各种各样的重构-表面的有序性-取决于制造过程，样品方向和外部效应，”Anastasia Pervishko说，他是 Skoltech计算和数据密集型科学与工程中心（CDISE）的研究科学家，也是该论文的合著者。

Pervishko和她的Skoltech同事Ivan Vrubel和Dmitry Yudin对InAs（111）表面的电子结构进行了全面的理论分析。他们能够证明他们对某些化合物参数以及表面重建的评估与先前报道的实验结果一致。

InAs表面的一个有趣特征是近表面区域中的自然电子积累，这使人们可以将其用作新型低维量子系统的平台。我们发现了稳定的表面构形，并且鉴于可获得的实验见解，能够根据材料的方向区分积聚层形成的起源。” Pervishko说。

她补充说，随着器件尺寸的减小，表面效应开始发挥关键作用，因此，对于后续的潜在应用，必须详细了解材料的表面结构和电荷分布。

“目前，我们只考虑研究干净的InAs表面。按照当前的科学趋势，我们需要了解与InAs表面原子层沉积有关的影响。” Pervishko总结道。

Skoltech是一所位于俄罗斯的国际私立大学，于2011年与麻省理工学院（MIT）合作建立。

'On the origin of the electron accumulation layer at clean InAs(111) surfaces' by Ivan I. Vrubel et al; Physical Chemistry Chemical Physics 2021