微型CVD系统有助于预测超大单层MoS2晶体的生长条件
上图:在高温和低流速条件下生长的MoS2晶体的伪彩光学图像,在测试的生长条件下,所得晶体的平均尺寸最大。
美国莱斯大学(Rice University)的材料科学家正在揭示二维晶体错综复杂的生长过程,为以前所未有的精度控制合成这些材料铺平了道路。
研究团队开发了一种定制的微型化学气相沉积(CVD)系统,能够实时观察并记录二维MoS2晶体的生长。研究成果在线发表在《Nano Letters》上,标题为“通过化学气相沉积实现二维晶体的可控合成:从实时晶体形态演变中获得启示”。
研究人员表示,使用先进的图像处理和机器学习算法,他们能够观看实时录像,从而帮助他们预测超大单层MoS2晶体所需的生长条件。
研究人员在MoS2上获得成功,受此推动,研究人员相信他们的方法可以扩展到其他二维材料和异质结构,为设计具有定制特性的下一代二维材料提供强大的平台。
研究报告的联合作者、莱斯大学材料科学与纳米工程系教授兼副系主任Jun Lou表示:“例如,在电子学领域,能够大规模稳健地合成MoS2这样的二维晶体,有助于促成更快、更高效的器件。就传感器而言,此举可使其灵敏性和选择性更强。”
材料科学与纳米工程副教授、研究报告的联合作者Ming Tang表示:“这项研究是朝着实现二维材料的全部潜力迈出的重要一步,为开发创新技术铺平了道路,而这些创新技术将彻底改变各行各业。”
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