技术文章
| 总数:757 现显示第14页，共38页 |
|
欧洲 SPOTLIGHT 集团正在开发一种利用阳光和 LEDs 制造甲烷和甲醇的新工艺 科学家们制造了效率为21.4%的钙钛矿太阳能组件 2022-1-25
国际团队使用钝化显著提高了钙钛矿太阳能电池板的稳定性 钙钛矿太阳能电池中的光子回收 2022-1-24
德累斯顿研究小组展示了光子回收和光散射效应如何将光转换效率提高约五倍 英国团队在新型 ULTRARAM 存储器上取得进展 2022-1-20
利用 特性的存储器已在硅晶片上得到证实 快速热蒸发用于沉积 CdSe 薄膜 2022-1-19
CdSe 薄膜表现出高晶体质量、大晶粒尺寸和适合太阳能电池的优选晶体取向 首款完全3D 打印的柔性 OLED 显示器 2022-1-18
美国团队开发的技术为更容易制造的电子屏幕打开了大门 HVPE 制造垂直 GaN P-n 二极管 2022-1-13
一种新的镁掺杂方法通过HVPE 能够连续生长垂直 GaN p-n 二极管 AI助力材料设计 2022-1-12
SMART 研究人员的算法可以根据特定应用所需的特性来识别材料 全角度 DBR 增强倒装芯片 Mini-LED 性能 2022-1-11
武汉大学团队通过引入全角分布式布拉格反射器，展示了倒装芯片蓝色和绿色mini-LED的性能改进 解开 III 族氮化物 LED 中俄歇系数的神话 2022-1-10
伊利诺伊大学团队表明，俄歇复合中的电子-空穴不对称性是 InGaN基LED 大效率下降的主要可能原因。 剥离转移良率接近100%，上海芯元基突破Micro LED芯... 2022-1-6
上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称：芯元基）利用其独立知识产权的DPSS衬底技术、侧向外延生长技术和化学剥离蓝宝石衬底技术成功开发出了10微米-50微米的GaN基薄膜倒装Micro LED芯片，相比... 氧化镓SBD突破 2021-12-31
新晶科技 （Novel Crystal Technology）开发出全球首款安培级1200V击穿电压氧化镓肖特基势垒二极管 科学家们用光控制光电流的方向 2021-12-30
USTC 团队展示了如何通过使用不同波长的光来切换 p-n 异质结器件中的光电流方向 如何制作稳定的黑色钙钛矿 2021-12-29
玛丽皇后学院团队开发了一种基于气溶胶的低温工艺，用于制造稳定的黑相甲脒钙钛矿 钙钛矿电池可保持稳定 2 个月 2021-12-28
德国团队展示了太阳能电池如何在1450小时的高温和光照下保持99%的初始效率 双光子光谱暴露多结电池中的缺陷 2021-12-27
双光子激发成像提供了一种非破坏性方法，用于识别倒置变质太阳能电池中的螺纹位错 科学家制造出稳定、高迁移率的 ITZO TFT 2021-12-24
Tokyo Tech 团队展示了下一代显示技术的低成本发展方向 InGaN 红光LEDs外延温度提升 2021-12-23
加州大学圣巴巴拉分校 (UCSB) 的研究人员声称可提高InGaN红光 LED 外延温度，从而打开红光LEDs研究的新篇章。这一突破来自于引入弛豫InGaN 缓冲区。 Imec 进一步推进了功率GaN 集成 2021-12-22
展示高性能肖特基势垒二极管和耗尽型 HEMT在基于 p-GaN HEMT 的 200V GaN SOI 智能功率 IC 平台上的协同集成 高温热退火技术实现高质量4英寸无开裂氮化铝单晶模... 2021-12-20
近日，松山湖材料实验室与北京大学经过深入合作，成功利用高温热退火技术实现了高质量4英寸无开裂氮化铝单晶模板。高温热退火过程不仅能够促进穿透位错的湮灭，同时能够有效引入压应力从而抑制氮...
| 总数:757 现显示第14页，共38页 |
|
粤公网安备 44030402004706号