企业新闻详细内容

三星大幅减少未来生产NAND所需光刻胶使用量

材料来源：韩媒

据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。

报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。

东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND 提供了关键材料。有消息称，从第9代 3D NAND 开始，三星将全面应用这项新技术，这一创新举措不仅提高了生产效率，更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。

【近期会议】

11月28-29日，“第二届半导体先进封测产业技术创新大会”将再次与各位相见于厦门，秉承“延续去年，创新今年”的思想，仍将由云天半导体与厦门大学联合主办，雅时国际商讯承办，邀您齐聚厦门·海沧融信华邑酒店共探行业发展！诚邀您报名参会：https://w.lwc.cn/s/n6FFne

12月6日14:00，《》杂志将联合牛津仪器带来“AI驱动下的光芯片新技术和产业发展”的线上主题论坛，共同探索AI与光芯片技术的融合之道，推动光电子产业的创新发展。见证光与智能的完美融合，开启光电子技术的新篇章。报名：https://w.lwc.cn/s/mmqAfy

上一篇：台积电A16工艺将于2026...

下一篇：晶驰机电半导体材料装备...

声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk