GaO的通道迁移率胜过SiC

来源：半导体行业观察

据初创公司Flosfia报道说，在常关配置下，其氧化镓（GaO）功率半导体的性能优于 （SiC）。

Flosfia Ltd.（日本东京）成立于2011年，是将刚玉结构的氧化镓（α-Ga₂O₃）用作功率半导体的先驱。该公司表示，在常关操作中，其沟道迁移率达到了72cm²/Vs，而 为30cm²/Vs。

然而，其他功率半导体可能需要施加功率来关闭晶体管，而这种技术在没有电压施加到栅极时就会关闭——这种特性很重要，适用于安全系统的功率晶体管。

Flosfia通过器件仿真计算了600V至1200V耐压的GaO MOSFET的特性导通电阻，发现导通电阻约为市售SiC的50％或更小。

Flosfia已与Hakuto和Kyoei Sangyo签署了协议，两家公司将作为分销商处理刚玉型氧化镓功率器件。