Alchimer披露硅穿孔阻拦膜技术的重大进步

Alchimer披露硅穿孔阻拦膜技术的重大进步；阶梯覆盖率达100%，提升填充速度和质量

      高度均匀的阻拦层还可大幅节约成本，同时提升性能和可靠性

      台湾台北--(美国商业资讯)--Alchimer S.A.的全新薄膜沉积技术改进，努力让硅穿孔(through-silicon vias, TSV)的生产更具成本效益，保证可以缩减填充沉积次数，为电子产品包装行业带来新选择。

      Alchimer今天披露，其AquiVia硅穿孔阻拦层工序能够对复杂的硅地形提供均匀、有保证的100%阶梯覆盖率，包括高深宽比的扇形侧壁表面。阻拦层是硅穿孔薄膜堆栈中最底层的元素之一。Alchimer的覆盖能力前所未有，使得不需要解决阻拦层的问题，令后续的沉积时间大幅缩短并降低成本。

      覆盖率达100%，还会消除后续的晶种层和填充沉积过程中可能会发生的一系列与覆盖有关的性能和可靠性问题。

      硅穿孔技术被公认为是3D整合工序的核心牵动因素，可允许多芯片堆栈和互连。这是将更多计算能力、记忆和其它功能整合在极小装置（如智能电话、平板电脑和其它便携式电子产品）内的理想解决方案。

      阶梯覆盖率是硅穿孔底部的金属化薄膜的厚度与顶部或平面薄膜厚度的比率。

      Alchimer首席技术官Claudio Truzzi表示：“现有用于产生硅穿孔的蚀刻技术有很多优点，但倾向于产生扇形、阶梯和其它表面特征，对后续的薄膜沉积带来真正挑战。传统的真空沉积工序一直无法放入高质量的阻拦层，尤其是较深、直径较小、深宽比为10:1及以上的填孔——我们需要这些比率来全面实现3D整合的经济优势。”

      Truzzi解释说：“质量较差的阻拦层直接导致电迁移、填充结果不理想以及互连电路通路遭遇高电阻，这些因素都将影响高值3D部件的性能和可靠性。这种覆盖率达100%的新产品显示我们的阻拦膜均匀分布在填孔的周边和底部，甚至在存在阶梯形态及扇形的情况下也不例外。因此，后续各层的下沉将有理想的基础，而所需时间也大幅减少，带来额外的经济效益。”

      AquiVia Barrier和Alchimer的整套湿式沉积产品集保形性、阶梯覆盖和纯度于一体，为PVD、CVD或其它干式工序所不能比拟，成本较标准的干式工序低40%至50%。客户可视其应用需要，选择单一薄膜或任何薄膜与填充的组合。

      ALCHIMER将会参加台湾国际半导体展：Alchimer将与其台湾合作伙伴奇裕(Kromax)参加2011年9月7日至9日举行的国际半导体展，展位672号。请前往我们的展位了解详情，获取有关Alchimer湿式沉积技术的更多信息。此外，Alchimer将于9月7日下午出席在台北君悦大饭店举行的有关最佳3D硅穿孔结构和工序的DigiTimes研讨会。

      关于Alchimer S.A.

      Alchimer从事创新的化学配方、工序和知识产权的开发和营销，其产品主要应用于各种微电子和MEMS的纳米薄膜沉积，其中包括晶圆级互连和三维包装硅穿孔。该公司的突破性技术Electrografting(eG™)是一个电化学工序，能够在导体和半导体表面产生各种类型的超薄镀层。Alchimer的潜力最初由法国创新署(OSEO)策略产业创新计划所确认，该计划支持具有商业化价值的最先进技术。Alchimer成立于2001年，是法国原子能委员会(Commissariat a l'Energie Atomique，CEA)的分割资产。公司总部位于法国马锡，并于当年获得法国研发及产业局(French Minister of Research and Industry)颁发的“高科技新创公司国家首奖”(First National Award for the Creation of High Tech Companies)。公司现为《红鲱鱼》欧洲100强公司(Red Herring Top 100 European Company)之一。请浏览Alchimer网站：alchimer.com。