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欧盟项目使用MoS2、SiC、GaN开发器件

2023/9/14 9:13:11 材料来源：雅时

FLAG-ERA ETMOS项目使用2D材料和宽禁带半导体制造超快二极管和晶体管

在节能功率转换、高频电子、光电子领域，SiC和III族氮化物发挥着至关重要的作用。目前，欧洲研究人员将这些宽禁带半导体与2D材料相结合，研制出了新器件。

作为FLAG-ERA ETMOS项目（用于先进电子领域的宽禁带六方半导体上外延过渡金属二硫化物）的一部分，CNR-IMM（意大利）、CNRS-CRHEA（法国）、IEE-SAS（斯洛伐克）、MFA-EK（匈牙利）、巴勒莫大学（意大利）的研究人员开发了具有优异整流性能的MoS2/SiC和MoS2/GaN异质结二极管。通过调整掺杂使电流注入可调节。

上图显示了MoS2/4H-SiC异质结二极管的电流密度与偏置特性的关系。

鉴于这项研究在高功率和高频率电子领域的应用潜力巨大，意大利公司意法半导体也加入其中，因此CNR和意法半导体共同申请了两项美国专利，其中涉及将MoS2与SiC和GaN相结合的超快二极管和晶体管。

为了构建此类结构，该团队探索了不同的方法，包括单步和双步CVD、脉冲激光沉积(PLD)、MBE、先进的剥离/转移方法。研究人员还结合了显微拉曼光谱、原子力显微镜（AFM/导电AFM）、原子分辨率透射电子显微镜，对各种表征协议进行了评估，进而评估MoS2的层数、掺杂、应变，以及MoS2异质结（含SiC和GaN）的电流注入。

CNR-IMM的研究负责人Filippo Giannazzo说道：“集成2D材料使SiC和GaN拥有新功能，扩大了这类宽禁带半导体的潜在应用范围。据我预计，这项技术将带来新的市场机会。”

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