工艺打通！九峰山实验室全面启动 （SiC）工艺技术服务

（SiC）沟槽结构因其独特的优势被认为是 MOSFET器件未来的主流设计，国际领先企业已建立先进的沟槽结构的技术领先，国内处于追赶阶段。九峰山实验室面向前沿技术进行突破，重点聚焦先进沟槽工艺的研究，完成自主IP布局，并集中资源开发了 沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺，形成了自主IP的成套工艺技术能力。

未来，九峰山实验室将继续以基础性、前瞻性、特色性的原创成果和优质资源支持产业界解决关键工艺难题，为合作伙伴提供中立、开放的创新工艺研发平台，加速技术创新。

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