BRC Solar在光伏优化器中使用宜普EGaN FET，功率提升17%

BRC Solar GmbH在其下一代功率优化器中使用了宜普公司的EPC2218 100V FET，旨在提高光伏电站和系统的能源产量和性能。

BRC Solar的M500/14功率优化器实现了更高的电流密度，因为它具有低功耗和GaN FET的小尺寸，使关键负载电路更加紧凑。GaN FET的小寄生电容和电感创造了干净的开关性能，从而允许在现场具有良好的 EMI行为。GaN FET的另一个优点是反向恢复损耗为零。

BRC以前的产品系列M400/12可处理高达12安培的电流，最大功率为400瓦。通过从硅FET改为GaN FET，该公司成功实现输出电流增加到14安培，额定功率为500瓦——同时保持相同的电路板尺寸。此外，M500/14的开关频率是上一代产品的两倍，从而可以降低电容器和电感器等无源元件的价值，甚至可以完全去除。

该公司的优化器仅在光伏模块被遮光时才会被激活。多数情况是完全辐照的模块，其中电路进入非活跃状态。在这种情况下，开关FET是持续关闭的。重要的是，电路板上的功率损耗要尽可能低。因此，EPC2218 是BRC应用的最佳解决方案，因为它具有低RDS(on)。由于GaN FET的出色导电性，静态损耗也非常小。

在有源模式下，模块优化器的开关行为会导致较小且可接受的功率损耗。EPC2218的低寄生元件可在应用中实现快速、干净的切换。

在这两种模式下，FET的温升都很小，即使在较高的环境温度下，也可以通过EPC2218的LGA焊盘向电路板进行良好的热传导。因此，不需要额外的散热器，进一步节省空间和重量。

BRC Solar Gmbh的Winona Kremb评论说：“宜普公司的eGaN FET为高密度电力电子的发展开辟了新的前景。我们将关注宜普公司的进一步应用和产品，并很高兴能成为这一征程的一部分。”

“与BRC合作是一个令人兴奋的design-in机会，同时与我们的分销伙伴Finepower一起，我们已能将公司从硅转向GaN方面取得巨大成果。使用GaN的设计人员现在可以利用性能更高、体积更小、热效率更高且成本相当的器件，”欧洲、中东和非洲地区销售副总裁Stefan Werkstetter补充道。

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