BluGlass：首个RPCVD隧道结激光二极管问世

澳大利亚半导体开发商BluGlass使用其专有的远程等离子体化学气相沉积(RPCVD)技术，在世界首次概念验证中成功展示了工作中的隧道结激光二极管。

新型激光二极管原型利用了BluGlass独特的RPCVD隧道结技术，该技术经过多年开发，用于高功率产品，包括激光二极管和高亮度LED。

这些RPCVD隧道结激光二极管原型旨在为商业应用（如3D打印和工业焊接）提供更高功率和更高效的激光器，已展示出了良好的激光性能。这一里程碑有助于确认RPCVD激光二极管设计在满足高价值GaN激光二极管应用的关键性能要求方面的潜力。

GaN激光二极管在行业中的应用目前受到含镁层（p型层）中的光学和电阻损耗的限制，这导致了低转换效率，通常在40-45%的范围内，而基于氮化镓的LED则接近90%。在操作氮化镓激光二极管时，由于传统上需要在激光二极管中建立电路，高电阻的p型层导致近50%的功率以热的形式流失。

BluGlass 的新方法得益于低温、低氢RPCVD生长的独特优势，可以消除对这些高电阻和性能损失的p型层的需求。RPCVD实现的新颖设计用 RPCVD隧道结和第二个n型包覆层（称为双n波激光二极管）取代了p型包覆层，为未来大幅提高激光二极管的性能铺平了道路。

该公司将继续优化其RPCVD隧道结激光二极管的设计、外延和制造，以最大限度地提高激光性能。

BluGlass执行主席James Walker表示：“这是对我们独特的RPCVD和隧道结技术潜力的一个重要验证。这一成就证明了我们领先的团队在开发一系列创新激光二极管产品方面所做的努力，其中包括这种世界首次展示的双n波激光器。这有可能改变激光二极管的制造方式，帮助GaN激光器进入一个新时代。

“虽然在推出未来的RPCVD增强型产品之前，这些新型激光器还需要进行大量的开发；在向等待的客户推出商业产品之前，我们明显更先进的标准(MOCVD)激光二极管的产品开发继续专注于解决可靠性和改进我们的下游生产。”

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