GTAT和安森美半导体签署生产和供应 材料的协议

该五年协议提高高需求宽禁带材料的全球供应

2020年3月18日 — GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。根据该协议，GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX™ （SiC）材料，用于高增长市场和应用。

GTAT总裁兼首席执行官Greg Knight说：“我们很高兴与安森美半导体合作，该公司是提供电力电子应用的先进半导体公认全球领袖之一。我们今天的协议有助于解决SiC作为电力电子应用首选半导体基板材料的陡峭增长轨迹。”

安森美半导体全球供应链高级副总裁Brent Wilson说：“安森美半导体在大批量晶圆生产的40年经验结合GTAT在SiC晶体增长的专知及迅速发展，将创建一个强固、可扩展的供应链，支持活跃的大功率宽禁带市场。我们很高兴与GTAT合作，进一步开发SiC宽禁带材料技术，并增强我们在这快速发展领域的领先地位。”

高增长应用如电动汽车（EV）牵引系统、混合动力和插电式EV、太阳能和能源存储，以及EV充电等都需要并且依赖于高质量、具成本竞争力的SiC材料的稳定供应。安森美半导体将使用GTAT专有的150mm SiC晶体来制造SiC晶圆，以进一步加速成为SiC供应链中的垂直集成供应商，并维持其世界级的供应。该协议将促进领先业界的SiC的供应，以帮助工程师解决最独特的设计挑战。