华虹半导体第三代Super Junction技术研发取得阶段性成果

华虹半导体第三代Super Junction技术研发取得阶段性成果

（香港讯，2017年1月23日） 全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.HK）今天宣布，公司已完成第三代Super Junction（「超级结结构」）MOSFET（「SJNFET」）工艺平台的第一阶段研发，取得了初步成果，并计划在2017年上半年逐步推向市场。

华虹半导体是全球领先的功率分立器件200mm代工厂，在功率器件产品稳定量产上拥有逾10年的经验。公司于2010年突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题，推出了独特的、富有竞争力的沟槽型SJNFET工艺平台，令华虹半导体成为业界首家提供超级结工艺平台的晶圆代工公司。经过多年的深耕发展，公司在Super Junction技术领域积累了丰富的研发和生产经验，相继推出了第一代、第二代工艺平台，并紧跟业界超级结产品的发展，持续进行平台的创新升级。

华虹半导体最新研发的第三代SJNFET技术平台不仅保持了前几代工艺流程紧凑的特点，而且还开发出了沟槽栅的新型结构，相比前两代的平面栅结构，可以更有效地降低结电阻，且进一步缩小了元胞（「cell pitch」）面积。导通电阻与第二代工艺相比，更是下降了30%以上，以600V器件为例，单位面积导通电阻Rsp实测值为1.2ohm.mm²，达到业界一流水平。第三代SJNFET工艺平台将为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。

功率半导体是开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件，也是降低功耗、提高效率的关键。在人们对高效节能越来越重视的现今，绿色能源技术必将得到更广泛的应用，功率半导体的需求也将持续提升。Super Junction技术凭借更低的功耗，高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源需求，其在传统的PC电源及云服务器电源也有优异的表现。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：「通过与客户在设计优化、系统解决方案及市场渗透方面的携手努力，我们独特且具竞争力的超级结MOSFET平台自量产以来出货量与日俱增，累计超过200,000片晶圆。华虹半导体新一代SJNFET工艺平台的推出，将进一步巩固公司在功率分立器件领域的领先地位。我们将尽快实现第三代SJNFET工艺平台的商用，以满足客户对更具竞争力的高压功率芯片产品解决方案的需求。」

关于华虹半导体有限公司

华虹半导体（股份代号：1347.HK）是全球具领先地位的200mm纯晶圆代工厂，主要专注于研发及制造专业应用的200mm晶圆半导体，尤其是嵌入式非易失性存储器及功率器件。集团的技术组合还包括RFCMOS、模拟及混合信号、电源管理及MEMS等若干其他先进工艺技术。根据IHS的资料，按2015年销售收入总额计算，集团是全球第二大200mm纯晶圆代工厂。集团生产的半导体被应用于不同市场（包括电子消费品、通讯、计算机、工业及汽车）的各种产品中。利用自身的专有工艺及技术，集团为多元化的客户制造其设计规格的半导体。通过位于上海的3座晶圆厂，集团目前的200mm晶圆加工能力在中国名列前茅，截至2016年9月30日合计约为每月153,000片。同时，考虑到工艺的性能、成本及制造良率，集团亦提供设计支持服务，以便对复杂的设计进行优化。

华虹半导体有限公司现时主要业务透过位于上海的子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司（「华虹宏力」）开展。而华虹宏力由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成。

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