技术文章
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南加州大学团队在量子光学领域取得突破性进展 钙钛矿的新可能 2021-2-18
钙钛矿的新可能 闪锌矿GaN有望实现高空穴浓度 2021-2-11
闪锌矿GaN有望实现高空穴浓度 为下一代VR/AR铺平道路 2021-2-10
为下一代VR/AR铺平道路 AlPN有望带来更好的GaN HEMT和GaN VCSEL 2021-2-9
AlPN有望带来更好的GaN HEMT和GaN VCSEL 太阳能材料可以“自我修复”缺陷 2021-2-5
太阳能材料可以“自我修复”缺陷 氮化镓基谐振器——实现5G的希望 2021-2-1
氮化镓基谐振器——实现5G的希望 超临界二氧化碳催生卓越的MOSFET 2021-1-29
超临界二氧化碳催生卓越的MOSFET 钙钛矿基蓝光LED技术的发展 2021-1-22
钙钛矿基蓝光LED技术的发展 LED照明和智能手机的3D成像 2021-1-20
LED照明和智能手机的3D成像 通往隐形太阳能电池板的道路 2021-1-19
通往隐形太阳能电池板的道路 一窥钙钛矿中极化子 2021-1-18
一窥钙钛矿中极化子 立方体GaN ：应对绿光能隙问题的解决方案？ 2021-1-5
立方体GaN ：应对绿光能隙问题的解决方案？ 重新定义钠助熔剂法 2021-1-5
重新定义钠助熔剂法 横滨国立大学开发出首款超导4位处理器 2021-1-4
日本的研究人员首次使用超导结开发出4位处理器。 非接触电计量：削减成本和缩短时间 2020-12-29
广泛应用于硅晶圆厂的电晕非接触C-V技术，现在可以应用于宽禁带半导体的测试。 回顾20年来III-V族半导体的技术进步和性能提升 2020-11-23
在WIN Semiconductors公司成立20周年之际，我们回顾了III-V族半导体技术的发展历程，了解它是如何满足不断变化的市场需求并实现规模化生产。 华为布局第三代半导体能否解决卡脖子问题？这会是... 2020-11-21
第一代、第二代和第三代半导体是什么，能解决什么需求？ 为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1告诉你答案 2020-10-15
为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1告诉你答案 microLED：硅基氮化镓找到了自己的使命 2020-10-10
随着显示器行业的不断发展，背板制造商将转变为 300mm 硅晶圆和特征尺寸较小的 CMOS 工艺。CMOS 工艺尺寸的减小是有益的，因为它能够限制 LED 像素的尺寸。例如，对于 2.5μm 像素，CMOS 工艺...
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