三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求

当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们的新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的，这一新的存储解决方案是我们研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。

HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片之间的间隙最小化至7微米（µm），同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。

三星先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善HBM的热性能。在芯片键合（chip bonding）过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种方法有助于提高产品的良率。

随着人工智能应用的指数级增长，HBM3E 12H有望成为未来系统的优选解决方案，满足系统对更大存储的需求。凭借超高性能和超大容量，HBM3E 12H将帮助客户更加灵活地管理资源，同时降低数据中心的总体拥有成本（TCO）。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。

目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。 

¹ 基于内部模拟结果