欧洲半导体代工厂投资G10-GaN MOCVD系统,用以扩展业务
欧洲半导体代工厂BelGaN将使用Aixtron的新型G10-GaN MOCVD工具,将其业务扩展到不断增长的GaN市场。
该系统的初始配置为8x150mm,将于2023年底前交付到位于比利时奥德纳尔德的BelGaN生产基地,未来,系统配置将升级到5x200mm。
BelGaN是GaN车规级半导体开放式代工厂,近期,该公司宣布开始生产其第一代650V eGaN技术。Aixtron表示,Gen1平台专为可持续发展和碳中和的高能效应用要求而设计。
G10-GaN将使用GaN-on-Si、GaN on SOI、新型GaN-on-engineered等衬底,进一步将功率芯片的额定电压从40V扩大到1200V。该系统将应用于横向及纵向功率GaN产品,侧重于提高产品性能、汽车质量和可靠性、产量,同时降低成本。
BelGaN首席技术官兼业务开发副总裁Marnix Tack表示,使用MOCVD的GaN外延是所有功率GaN技术的关键工艺,既可以创新器件架构,提高性能、产量、质量,又可以降低GaN产品的成本。他说:“Aixtron的新平台G10生产率高、一致性高、成本低,给我们留下了深刻印象。”
新型集群解决方案G10-GaN建立在Aixtron当前工具G5+C的基础上,同时将洁净室单位面积的生产率提高了一倍。G10-GaN还可确保洁净室每平方米达最高产能,并且通过端到端的全自动化,成为唯一一个完全为硅晶圆厂设计的MOCVD系统。
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