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Micro LED领域又一重大突破

材料来源：芯元基半导体

近日，上海芯元基宣布，在其独有的化学剥离Micro LED的技术基础上，成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺，达到了转移芯片位置零偏差。

上海芯元基半导体科技有限公司成立于2014年10月，是业界领先的第三代半导体—氮化镓材料、芯片及器件设计制造供应商，拥有全球首创的以复合图形化衬底和化学剥离为核心的技术体系，具有完整自主知识产权。

该公司在Micro/MiniLED等芯片研发领域走在全球前列。在上海临港和安徽池州建有中试和生产线，发展至今取得不少突破。

2022年5月，芯元基半导体公司独有的化学剥离转移技术在单片垂直堆叠结构全彩方案中的优势得到验证；同年7月，芯元基半导体在独有的剥离蓝宝石衬底技术和芯片巨量转移技术上取得突破性进展，剥离蓝宝石衬底的良率达到100%，自主开发的COC和COS的转移良率均达到99.999%，转移后，芯片位置偏移量小于±2微米，其中COS产品客户可直接巨量键合到TFT驱动面板。

2022年7月，芯元基成功点亮0.12inch 、pitch 3.75μm Micro LED芯片阵列；同年8月，芯元基成功点亮InGaN基红光Micro LED芯片阵列，基本实现微显示芯片全彩化；2022年10月，芯元基成功实现了0.41 inch 单色Micro-LED微显示屏视频显示。

2023年1月，芯元基又在Micro-LED微显示屏方面又取得了新的突破，成功攻克了像素pitch 7.5μm芯片阵列键合工艺；今年5月，公司宣布，成功开发出了一款矩阵车灯用的高端薄膜Micro-LED芯片；7月，芯元基又宣布实现高效纯红光量子点芯片。

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