天岳先进在SiC领域“崭露头角”，保持行业领先

8英寸SiC产业化，蕴含巨大市场潜力

在SiC半导体产业链中，SiC衬底是技术壁垒高、生产难度大且价值占比最高的环节，也是未来 大规模产业化推进的核心环节，其质量对器件的性能影响非常关键。

据TrendForce集邦咨询调查，目前SiC产业以6英寸为主流，占据近80%市场份额，8英寸不到1％，但8英寸是进一步提升芯片制备效率，降低SiC器件成本的关键，由此可见， 衬底大尺寸化是市场趋势更是体现企业技术实力的试金石，蕴含着巨大的市场机遇。近年来，国内外企业在8英寸SiC衬底的研发与生产方面，积极加大投入力度，争取先机。

天岳先进重大突破，夺得产业发展先机

天岳先进成立于2010年，是我国最早从事 衬底制备的企业之一，十几年来始终专注于 衬底。目前以6英寸导电型产品为主，满足全球客户需求。产能方面，公司上海临港工厂已进入产品交付阶段，持续发力提升6英寸产品产量，30万片规划产能有望提前达产。通过自主扩径技术制备的8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。

2023年6月，天岳先进携液相法8英寸 晶体亮相Semicon China展会，受到了高度关注。公司CTO高超博士在同期举办的功率及 产业国际论坛公开了天岳先进的最新进展。采用液相法制备8英寸 晶体，属业内首创。

△6英寸导电型 衬底

在技术研发方面，公司一直持续保持较高的技术研发投入，积极布局前瞻性技术。除液相法外，在高效制备方面，提升晶体厚度的技术工艺也正在研发中。公司在大尺寸、高效率、高品质方面全面布局，提升技术领先优势。