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Gallium Semiconductor宣布推出CW放大器

材料来源：ACT

GaN-on-SiC HEMT为各类ISM应用带来新的效率水平

Gallium Semiconductor总部位于新加坡，该公司宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300 W的预匹配分立GaN-on-SiC HEMT。

据称，GTH2e-2425300P为各类应用带来新的效率水平，其中包括半导体等离子源和用于生产合成金刚石的MPCVD设备。

3D RF Energy Corp首席执行官Roger Williams说：“GTH2e-2425300P为2.45 GHz ISM固态电源设计的性能和易用性树立了新标准。无论是效率为76%的400 W窄频带设计，还是效率为72%-74%的300 W全频带设计，GTH2e-2425300P的内部匹配功能都能实现明确的PCB设计。该器件在AB类和C类中均表现良好，且饱和功率下有17dB的增益，简化了对驱动器的要求。”

GTH2e-2425300P的运行频率范围为2.4至2.5 GHz，并由50V电源轨供电，效率峰值为76%（脉冲、100 µs、10%占空比）。相关测量数据显示，连续波运行时，漏极效率超过72%。符合资格的客户可订购固定调谐演示板。

9月19日至9月21日，Gallium Semiconductor参加了在柏林举办的欧洲微波周。除了GTH2e-2425300P外，该公司还展示了三款新型250 W L波段和250 W S波段的雷达产品，以及一款新型直流至12 GHz的通用宽带放大器。

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