企业新闻详细内容

日本研发出半导体材料氧化镓的低成本制法

材料来源：日经中文网

利用“有机金属化学气相沉积法”使氧化镓高速增长（东京农工大学提供）

日本的东京农工大学与大阳日酸CSE研发出的方法是“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”，通过在密闭装置内充满气体状原料，可以在基板上制造出氧化镓的晶体。减少设备的维护频率，也可以降低运营成本……

日本的东京农工大学与大阳日酸CSE开发出了新一代功率半导体“氧化镓”的低成本制法。利用气体供应原料，在基板上制造晶体，可以减少设备的维护频率，也可以降低运营成本。大阳日酸正准备设备的商用化，客户有需求就可以供货。

有望实用化的方法是“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”，通过在密闭装置内充满气体状原料，可以在基板上制造出氧化镓的晶体。

现有的制法是“氢化物气相外延（HVPE）法”，新制法可以制成此前实现不了的高频器件。

氧化镓是耐压性超过“ ”和“氮化镓”的功率半导体材料，可以降低电力转换时的能源损失。有望用于纯电动汽车（EV）、白色家电及光伏发电等广泛用途。目前已有数家企业实现实用化，富士经济的调查显示，市场规模到2030年将达到470亿日元。

此次，开发出“有机金属化学气相沉积法”的东京农工大等团队将晶体的生长速度提高到了每小时约16微米，达到原来的约16倍。东京农工大学教授熊谷义直表示：“这是与氢化物气相外延法并列的水平”。

除了立式结构的功率器件外，还可以制造“高电子迁移率晶体管（HEMT）”这种横式结构，有利于通信设备的高频工作。利用传统的氢化物气相外延法，难以与高电子迁移率晶体管所需的铝进行混晶。

【近期会议】

10月17日14:00，即将举办“高可靠性GaN功率器件推动太阳能、DC/DC转换和电机驱动的创新应用”主题会议，诚邀您踊跃参与云上知识盛宴：https://w.lwc.cn/s/7r6jea
11月1日-2日，雅时国际商讯联合太仓市科学技术局即将举办“2023 先进技术及应用大会”。诚邀您相聚江苏太仓，筑创产业新未来。听众注册：https://w.lwc.cn/s/yqMZ7f

声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk