在硅上生长的InGaN长波长LED器件问世

在硅上生长的InGaN长波长LED器件问世

      RSL希望在未来的2-3年对其硅基氮化銦鎵技术进行产业化，然后继续在200mm的硅衬底上开发生长工艺。

      来自RoseStreet Labs（RSL）的科学家展示了世界上首款在廉价硅衬底上生长的长波长LED器件。

      长期以来，科学界和产业界都一直在探索绿光和更长波长的LED器件，以填补全球LED照明市场的“绿光缺口”，该市场增长迅速，产品的性能强调能效、成本和小型化。

      在亚利桑那州凤凰城的RSL氮化物研究中心，研究人员采用RSL独有的硅上InGaN薄膜技术、在商用外延设备上制取了长波长器件，该技术也应用到了高效光伏和功率器件领域，而上述LED的突破也受益于此技术。相比通常LED生产所用的传统蓝宝石和 衬底而言，硅衬底有显著的成本优势。

      无论对固态照明（SSL）、还是LED背光与下一代显示技术，高效率的长波长LED都是前进道路上的关键的里程碑。相比紫外、蓝光LED而言，因绿光或长波长氮化物LED量子阱效率不高，所以很难制造，一直是LED产业发展的跘脚石。

      FlipChip International(FCI)公司是RSL的姊妹公司，RSL计划最终由FCI将绿光和长波长LED封装为成品，借助该公司在半导体功率器件封装领域丰富的经验，FCI拟为这些LED器件提供独有的解决方案。

      RSL的科学家也展示了其原型，彩色和白光。因在发光强度、低能耗和低商用成本几方面的潜力，这款RSL器件表现出了良好的前景，RSL相信在2-3年内可以移植到200mm硅衬底上实现量产。

      RSL的首席执行官Bob Forcier表示，“RSL在能源技术方面的战略是全方位的，并希望在全球范围内达到颠覆性的效果，这些取得突破性进展的长波长和绿光LED产品是对此战略的完美体现，也推动了在GaN和硅上InGaN领域的投资”。

      首席技术官Wladek Walukiewicz表示，“因在绿光和长波长波段获取高效率器件存在材料生长的挑战，绿光LED一直不好实现…所以我们对器件的潜力感到非常兴奋”。