本期内容
2024年 2/3 月刊
封面故事 Cover Story
基于非极性氮化铝单晶薄膜的高速表面声波和横向体波谐振器
High speed surface acoustic wave and laterally excited bulk wave resonator based on single-crystal non-polar AlN film
编者话 Editorial
VCSEL技术和产业化进展
The progress of VCSEL technology and industrialization
业界动态 Industry
全球最大的SiC晶圆厂
The world's biggest SiC fab
X-FAB出资2250万欧元收购Xtrion的M-MOS
X-FAB acquires M-MOS from Xtrion for �22.5m
近40万片！天域半导体冲刺投产
Nearly 400,000 SiC wafers! TYSiC sprint into production
芯联集成与蔚来汽车签署
生产供货协议
UNT and NIO signed a silicon carbide production supply agreement
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
国家工程中心平台介绍
Introduction of National engineering center platform
高端访谈 Top interview
郝跃院士专访 ——宽禁带半导体技术突飞猛进，产业蓬勃发展，未来任重道远
Interview with Academician Hao Yue-- WBS technology advancing, WBS industry booming, and long way to go in future
展望2024
looking forward to 2024
技术 Technology
Marangoni干燥技术的新应用
New Applications of Marangoni Drying Technology
科技前沿 Research Review
利用深紫外光推进通信的发展
Advancing communication in the deep UV
实现垂直型深紫外激光器
Realising vertical deep-UV lasers
转向单片多色microLED阵列的隧道结
Turning to tunnel-junctions for monolithic multicolour microLED arrays
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
氮化镓功率集成电路技术
GaN Power Integration Technology
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粤公网安备 44030402004706号
对于传统的c面氮化铝薄膜，a面氮化铝薄膜的压电轴居于薄膜平面内，这种特殊的氮化铝薄膜材料有望大幅简化现有声学谐振器 的构造。在本工作中，我们将物理气相沉积与高温退火技术结合，在r面蓝宝石衬底上成功获得了a面氮化铝单晶薄膜，而基于该非 极性氮化铝单晶薄膜实现的声学谐振器具有优异的性能。实验表明，当施加电场方向与单晶薄膜c轴方向平行时，可在2.38 GHz与 4.00 GHz频段分别激发具有高度各向异性的高性能瑞利波（SAW）与横向体声波（LBAW）。其中瑞利波性能优异，品质因子高达 2458，并在变温实验中表现出很强的稳定性；而仅由平面指叉电极即可激发的4.00 GHz横向体声波则是在氮化铝体系中首次报道， 且无需加入任何空腔或底电极结构辅助。本工作展现了非极性面氮化铝单晶薄膜在谐振器提升性能与简化结构等应用领域的巨大 优势。