硅微电子取得了惊人的进步。最新的组件面积仅为几十平方纳米,消耗的功率很小,并 且将数十亿个封装在一块芯片上。今天的技术是几十年来硅CMOS工艺开发的顶峰,也 催生了使硅光子学受益的技术进步。晶圆厂现在可以生产低损耗的硅波导和无源结构, 将光信号传送到芯片上。但是,这项技术并不完美。可以说它最大的弱点是缺乏光学增 益,这源于硅的间接带隙。
硅微电子取得了惊人的进步。最新的组件面积仅为几十平方纳米,消耗的功率很小,并 且将数十亿个封装在一块芯片上。今天的技术是几十年来硅CMOS工艺开发的顶峰,也 催生了使硅光子学受益的技术进步。晶圆厂现在可以生产低损耗的硅波导和无源结构, 将光信号传送到芯片上。但是,这项技术并不完美。可以说它最大的弱点是缺乏光学增 益,这源于硅的间接带隙。