5G的部署分两个阶段：目前正在进行推广的只是低于6GHz的频段。针对第二阶段的部 署，最早要到2023年左右才开始推广，即转移到24GHz以上毫米波频谱中更宽的频带。 5G的推出将使 行业受益。GaAs HBT和GaN HEMT的应用将蓬勃发展，其 他技术的发展也将随之而来，例如GaAs pHEMT和硅上GaN晶体管。

一种新型的“氮化镓- ”（GaN-SiC）复合材料有望在混合动力汽车、 电动汽车和电动汽车充电站，以及太阳能逆变器和其他高功率应用中显著节能。

作为 （SiC）技术的全球领先企业，科锐（Cree, Inc.）近期有许多大动作，吸引来自行业的大量关注。 《 》杂志在此梳理盘点一下科锐公司的最新动 态，以便于读者全面了解其战略部署和未来发展方向。

欧司朗推出两款新型红外LED （IRED）生物识别产品SFH 4170S 和SFH 4180S。此两款新型IRED 同时 具备迷你尺寸和强大功率，不仅能帮助 移动设备制造商解决数据可靠性与安全 性的问题，还为产品设计提供了更多想 象空间。

2019 年11 月21 日， 合 肥视涯项目投产仪式在 合肥新站高新区内隆重举 行， 标志全球最大的硅基 OLED 生产工厂正式投产。

该项目旨在通过提供先进技术与产品，提高 的可用性及性能，以满足电动汽车、通信及工业应用领 域对 不断上涨的需求

近日， 全球领先的半导体行业沉积设备 供应商AIXTRON 爱思强股份有限公司宣布， AIXTRON 已为瀚天天成电子科技( 厦门) 有限公 司提供了一台AIX G5 WW C 设备，支持其进一 步开发下一代 （SiC）外延片产品，主要 用于制造电动汽车中的功率器件。AIXTRON 的 高产能机台已于2019 年第三季度运至中国厦门 瀚天天成的洁净室。

市场研究和战略咨询公司 Yole Développement 预测， 到 2024 年，边缘发射激光器（Edge-emitting Laser， EEL）的市场规模将比现在增加一倍多，达到 51 亿美元。

2019 年9 月30 日， 新加坡- 麻省理工学院研究与技 术联盟 (The Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, SMART)，即麻省理工学院在新加坡的研究企业， 宣布成功开发出一种在商业上可行的方法，通过将高性能的 Ⅲ - Ⅴ 器件插入其设计中，来制造集成型硅 Ⅲ - Ⅴ 芯片。

我们有充分理由去关心我们这个星球的未 来。由于二氧化碳排放量的增加，全球平 均气温毫无疑问在升高，在能源需求增加的情 况下这一趋势还会继续下去。

在千禧年之际，硅的电力电子行业发生了一 场无声的革命。当时，由于在单极、高压 器件中引入了超结结构，商用晶体管的导通电阻 急剧下降了3 到10 倍。为了实现这种器件，需要 在n 掺杂垂直漂移区中，创建p 型高纵横比的柱 子来形成超结。

金刚石拥有许多优良的特性。它以辉煌耀眼 的光泽闻名于世，这使其成为制造珠宝的 非常不错的选择；它具有很高的硬度，因而可 在用于切割、钻孔和锯切的工具中使用，也可 在唱机悬臂的顶端上使用（以跟踪黑胶唱片中 的调制）。