美国新墨西哥州的iBeam Materials公司,在多晶柔性金属箔上沉积高质量的外延GaN,为 大面积,低成本,适用于卷对卷制造的GaN基器件生产工艺打开了大门。这项突破性技 术解决了大面积、低成本的更小LED阵列制造和转移的挑战,通过转换到金属箔上生长 的晶体管和LED的单片集成,使microLED显示器的制造向前迈出一大步。
相比LCD 和OLED 显示技术,microLED 显示技术具有更明亮、更高效、 更低功耗等优势,可以在阳光直射下读取显示信息,并且具有极好的可靠性、长 使用寿命和坚固耐用性。基于这些优势,microLED 显示器有望取代可穿戴设备、 手机及AR/VR 中的OLED 和LCD 屏幕,预计未来microLED 市场将非常巨大。
随着传统的硅半导体工艺尺寸的不断缩小,逐渐接近其 物理学上的极限,半导体业界正在不断积极探索新的 技术发展路线,包括新材料、新工艺、新的器件结构和系统 设计……在此背景下, 技术近几年快速发展。 特别是在5G 通信、人工智能、物联网、自动驾驶、电动汽 车等新兴领域的推动下,近年来,以 (SiC)和氮化 镓(GaN)为代表的第三代半导体材料已经受到业界的极大 关注。
Glo 公司在展览会上演示了 microLED 显示器,预计采用 Glo 公司的 microLED 制成的智能手表可能很快就戴到人们的手腕上。—— Rebecca Pool 报道
2019 年8 月13 日, Rohinni 和科嘉的合资企业Luumii 公司 宣布,其用于笔记本电脑键盘背光及标志照明的微型和迷 你LED 灯解决方案现已进入量产阶段。这些微型/ 迷你LED 方案具有空间占用小、功耗低、产品性能高,以及通过颜色 和动画增强用户体验等显著优势,能够让笔记本电脑设计人 员在设计中充分集成这些优势,设计更优越的笔记本产品。
全球电力需求的增长远远高于其他所有形式 的能源需求。据国际能源署(International Energy Agency)数据,2017 全球能源的需求量上 升了2.1%,与此同时,电力需求增长了3.1%。
透明氮化镓(GaN)电路基于氧化 铟锡和离子注入而得以出现,也受 益于晶体管制程针对玻璃的调整以 及透明接触。
数字革命定义了我们的时代。我们生活的信 息时代是通过大量数据流得以实现,这些 数据流通过海底通信电缆传输,通过高频电磁 波编码,流入和流出计算机进行处理,现在的 计算机借助数十亿个晶体管实现处理功能。今 天,我们不仅理所当然地认为我们可以立即获 得信息和社交网络,而且还可以持续改进所有 这些技术。我们希望智能手机,笔记本电脑和 个人电脑变得更快,更高效,并且能够以更高 的速率实现连接。
美国新墨西哥州的iBeam Materials公司,在多晶柔性金属箔上沉积高质量的外延GaN,为 大面积,低成本,适用于卷对卷制造的GaN基器件生产工艺打开了大门。这项突破性技 术解决了大面积、低成本的更小LED阵列制造和转移的挑战,通过转换到金属箔上生长 的晶体管和LED的单片集成,使microLED显示器的制造向前迈出一大步。