本期内容
2018年第二期
封面故事 Cover Story
GaAs为5G手机提供关键组件
GaAs provides the key ingredient for 5G phones
Ben Thomas, QORVO
编者话 Editorial
5G 推动射频氮化镓市场
业界动态 Industry
5G与汽车科技带动SiC与GaN的发展
5G and automotive technologies drive the development of SiC and GaN
终极磁传感器即将问世？
The ultimate magnetic sensor?
小巧高效的GaN器件即将跻身主流市场
GaN: small, efficient and market-ready
——Rebecca Pool 报道
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
3D集成: 整合InP，GaN和硅CMOS
3D integration unites InP, GaN and silicon CMOS
Andrew Carter，Miguel Urteaga, TELEDYNE SCIENTIFIC AND IMAGING 公司
改善UVC LED的热管理
Improving the thermal management of UVC LEDs
John Cafferkey，CAMBRIDGE NANOTHERM
优化GaN HEMT生产
Refining production of the GaN HEMT
Richard Stevenson
GaN功率器件:
完善垂直架构
GaN power devices: Perfecting the vertical architecture
Yuhao Zhang，Min Sun，Tomás Palacios，麻省理工学院
广告索引 Advertisement Index
广告索引
Advertisement Index
粤公网安备 44030402004706号