由于其低成本和高性能的组合，利用氮化镓上硅（GaN-on-silicon）构建晶体管的承诺攫取了的功率器件市场的主要份额。

新技术总是伴随着高价格。部分原因是昂贵的价格标签是必要的，为的是确保制造商攫取到他们将新发明推向市场的投资需要的钱。但从利润的角度来看也不失为一个明智之举，因为一个尝鲜的早期采用者一般都愿意花一些“冤枉钱”，把令人兴奋的新产品拿到他们的手上。

Strategy Analytics 报告“2011 年GaAs 器件收入的良好开端难以为继”探讨了GaAs 器件在手机和智能手
机领域的收入增长趋势。

到2016 年，用于LED 照明电源的全球市场预计将达到10 亿美元巨额。

与世界上其他市场一样，光伏市场也已经在国际化森林里深呼吸。不过与其他一些行业不同的是全球光伏市场对于政府补贴的依赖还很严重。

打破红光LED 200流明/瓦屏障将远远超过简单地增加汽车刹车灯的效率。它也将提高固态照明光源以及微型投影机的效率和颜色质量，而当与蓝光LED结合时，可产生一个温室照明产品。

无线光纤系统需要提高数据速率来实现下一代无线网络所要求的速度。这些系统中的一个关键元件是类弹道单向载流子光电二极管，它可以超高速度随集电极内的p型电荷层的增加运行。

利用SiC 制成的器件和功率电子器件的工作温度取代硅二极管和晶体管，可能上升到如此程度，即不再需要笨重的热管理系统。结果是：可以将电网规模的可再生能源逆变器、井下电子装置、航空发动机和执行器压缩进小得多的空间。

为了使三结光伏太阳能电池能具有最优异的性能，需要将其中每个亚电池（subcell）单元的吸收边波长达到最优化。在电池中引入量子阱结构，就能使器件可以根据应用时的光谱状况来进行调整，以实现上述的目标。

由于光伏设备是这场太阳能革命中的基础构件，因此实现光伏的优质高产就成为成功的关键要素。实施综合性全公司数据收集、反馈与实时控管方法以改善生产绩效和降低成本。

随着LED 产业日渐成熟，焦点已集中在通过提高设备效率和产品收益率，从而最终降低成本。陶氏凭借其超过35 年的LED 和MOCVD 先导材料搭配制造经验，以及数十载的半导体制造相关经验，为LED 客户提
供业内最顶尖的材料及专业技术支持。陶氏化学电子材料在半导体行业已经有很多年的历史，很多材料可以
帮助半导体产业提升良率，改善产出率。

全耗尽产品蓝图是针对当下半导体市场的严苛需求，以及为解决制造商面对的主要问题而推出的。无论芯片供应商选择平面还是三维的晶体管，Soitec 都会根据成本、性能、功耗和上市时间等因素提出解决的方案。平面技术能够实现性能上的快速提升，而三维技术则令整个行业以高效率低风险的方式实现FinFET。