采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法来沉积氮化物外延叠层，需要较高的温度和大量的氨气，但是这两个弱点均可以采用一种替代性生长工艺，称之为“Meaglow”技术来加以克服，该项新工艺的开发由加拿大新创立的项目进行。

IMS Research 全球各地的分析师通过每月追踪LED 灯零售市场的价格变化，分析得出不同地区LED 灯泡零售价格，流明/ 瓦，流明/$ 的变化趋势。目前的数据包括分布于12 个国家和地区的26 家零售店43 个品牌和超过650 款灯。

LED照明只有大幅降低价格才能实现普及，可以采用多种手段来实现这一目标。其中之一就是在Aixtron公司的CRIUS II-L MOCVD设备上进行薄膜的外延生长，它在产额、外延薄膜均匀性，以及反应气体和前驱体的有效使用等方面已成为LED产业的新基准。

长期以来SiC器件的产品性能远超于硅器件，但是价格高昂制约了消费群体的购买。MicroGaN发布了一款基于硅衬底GaN的600V耐压功率器件，预计2012年功率电子产品采购商将能够以Si基器件价格获得与 SiC基器件性能相当的高性能晶体管和二极管。

在理想情况下，每个LED内产生的光子都能离开器件并成为有用的照明。但这在实际中并不会发生，部分光子由于表面边界的内部全反射被困在芯片中，还有部分光子被金属电极吸收。欠佳的光提取阻碍了LED性能的提高。但通过在LED器件顶面加上图形介电堆叠层，就能大大改善光提取的状况，此外该方法还能控制光的远场发光模式。

由于GaN的折射率和空气折射率差很多，要在LED芯片中取光是不容易的。在氮化物LED的磊晶层中加入微结构可以提高光的散射，最终可提高芯片的发光效率。

尽管已出现了采用有机材料和塑料来制作PV电池的契机，但是这种有机PV电池的输出功率还存在着问题。本文讨论了采用光电导原子力显微镜来表征有机太阳能电池的纳米结构和物理性质。

由于能够实现高吞吐量且均匀一致的处理衬底，离子束技术已被证明是更普遍适用的有竞争力的金属层改性替代方法。Roth & Rau MicroSystems一直在开发用于表面改性和结构化的创新离子束技术，可广泛应用在MEMS行业。

半导体科学和技术构成现代信息社会的基础，随着信息存储密度迅猛增长，为突破摩尔定律瓶颈需要发展新的信息存储载体。在制作和研发工艺成熟的半导体中注入自旋，形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体，成为解决这个关键问题最可能的突破口。