东芝加大SiC功率器件投入力度

为了应对工业及自动化应用领域日益增长的SiC功率器件需求，东芝公司于近期宣布已批量生产SiC功率元器件。位于日本兵库县姬路市的东芝厂将承担此次SiC元器件的生产任务。

东芝方面称，在第一批次的SiC元器件生产线上，将首先生产肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diodes） ，肖特基势垒二极管十分适用于如光伏系统的环境下使用；同样地，该二极管也可替换开关功率元器件里的硅二极管，在相同的运行条件下，肖特基势垒二极管的效率就比硅二极管高50%左右。

就目前的研究成果来看，SiC功率器件相对于传统的硅元器件，在转换效率上已经大大超越了后者。甚至是在高压高电流的状态下，SiC仍能保证热能的损耗维持在最低的限度，因此，SiC元器件也满足了当前通信领域内对转换效率及热损耗都要求严格的应用场所。

据分析人士估计，SiC功率器件有望在2020年，其市场规模在比现有的市场扩大至十倍左右。东芝公司同时也表示，将在未来努力做到30%的市场份额，对此，将展开新一轮的对肖特基势垒二极管的研发工作。