Nitride Semiconductors发布UV LED输出功率新标准

据国外媒体近日报道，Nitride Semiconductors发布了一款紫外线超功率超功率LED模块，其输出功率超过了3W。据悉，该模块芯片实现了高效转换与高输出功率的结合。

在发布的一系列产品中，NS380L-6SVR成功实现了在紫外线380nm波段下的输出功率达3200mW，另据Nitride公司介绍，这款芯片模块也超越了当前市面上的所有商业单颗芯片的实际输出功率。

新发布的芯片还拥有其他良好的属性如在4V的运行状态下，保持长时间的高转换效率。例如将NS380L-5SVR在800mA的电流下运行，其380nm波段的情况下的输出功率为700mW，这也相当于一个35%的外量子效率（external quantum efficiency）；而当在400nm波段的情况下，NS400L-5SVR则在1000mA的状态下就能传递了一个外量子效率的38.7%，而输出功率则更是提升至了1200mW。

典型地，如紫外线LED芯片的实际尺寸则是1×1毫米，SemiLEDs公司当前所生产的是1.2平方毫米，而Nichia则是1平方毫米的规格，而Nitride公司生产的紫外线LED芯片规格则扩至2.2平方毫米，目前也是市场上最大的单颗紫外线LED芯片。

在增强单颗芯片性能的同时增大其尺寸并不怎么困难，关键在于尺寸上的增加和输出上的增加并不总是带来转换效率上的提升，主要原因是热稳定性。

为了应对上述的困难，Nitride Semiconductors公司的技术研发人员采用了一种非常规的方式来生成他们的UV LED芯片，他们在芯片上外加一层热释放层，同时将电极设计成电流可均匀传输。工程师们通过最优化的晶圆生长而产生最小程度的晶体缺陷，最后形成搭载最优化电极设计的垂直芯片模块。

Nitride公司的工程师们在公司大型制造设备的协助下，成功实现了输出功率为几瓦级别的UV LED单颗芯片模块，这也一反过去基于多颗芯片的研发模式，该公司人员介绍，单颗芯片的好处就在于简化的光电结构和较低的驱动电压，而多颗芯片往往需要串联，增加了设计难度和加大了驱动电压。