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Sumitomo与Soitec签署专利共享协议 共同研发氮化镓基板高性能LED

2013/2/25 13:58:11     

近日,电子工业行业革新半导体材料生产商Soitec公司与 材料供应商Sumitomo Electric Industries签署专利共享协议,届时,两家公司将合力研发基于氮化镓基板的高性能LED照明设施。

在协议签署后,Sumitomo公司将采用Soitec智能切割技术来生产制造工程GaN基板。外界预计,这也是这两家公司战略合作的关键一步,自2010年12月以来,Sumitomo公司的材料技术专利和Soitec公司的智能切割技术之间的合作就已经开启,两家公司均旨在如何提高GaN基板的LED性能。

目前,两家公司的专利技术联合将被认为是在当前的市场环境下,极有可能制造出4或6寸工程GaN基板。据悉,Sumitomo公司已经成功实现了在对单一晶圆上制成多个高性能、薄层的GaN基板材料,而制造晶圆的实际成本已经下降到一个低水平,而制成之后的基板也通过了测试验证。Sumitomo公司也将其实现工业化生产,并在智能切割上投资。

Soitec公司特殊电子事务部门副总裁Frédéric Dupont对此谈到,此次签署的协议对于 市场具有重要意义,这也是我们战略的第一步。

Dupont进一步指出,这也是Soitec公司首次将自身的智能切割技术运用在可重用、价格昂贵的基础材料上,并能在未来带来商业利益。Sumitomo公司在新材料上的研发以及制造工艺技术将确保未来的LED照明灯具的高性能。

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