Meaglow研制InGaN层取得新突破

据报道，Meaglow公司于近期开发出一种能加速余晖薄膜生长的低温迁徙技术，此项技术配合强黄光的照射能形成一层质地厚的InGaN层。这一发现将使得绿光LED以及激光二极管的发展受益。

该公司目前正在寻找合作商合作来增强这种新材料的功能属性，照明、显示、医疗和军事应用等都需要此项技术的支持。Meaglow公司首席科学家K. Scott Butcher对此谈到，这是我有生以来首次看到如此完美的p-n结。

目前，在高效固态照明的发展中，绿光间隙（540-610nm）是其最大的障碍，我们都知道，LEDs产品均处于绿光范围内且介于红光和蓝光之间，其本身的效率也迅速下降。

绿光和黄光处于光谱的中间位置，被我们所熟知的“绿光间隙”是指光谱其中的一个区间部分，然而无论是通过磷化处理和氮化处理之后的设备的转换效率并不高，而且制造起来相当复杂。

Meaglow公司针对这一难题，运用了其还在申请专利的空心阴极技术（hollow cathode）和低温生长工艺来生长铟化合物，以制造绿光和黄光晶体管。在一个氮化装置里发出强烈的黄光，这对于低温状态下InGaN的生长起着重要意义。

该公司发言人还称，这次技术的突破也在德国柏林近期召开的 ISSLED2012 峰会上的氮化物半导体研究会上被着重演示。目前，Meaglow公司的下一个目标就是使其商业化，并寻找合作伙伴一起研发下一代设备以运用 InGaN模版层。