Soitec与Resonac签署SmartSiC开发协议

顾名思义，Soitec 起源于绝缘体上硅 (SOI) 行业。SOI 衬底广泛应用于整个电子行业，包括通信、传感器、射频和电源 IC。如图 1 所示，SOI 衬底包含一个薄硅器件层（厚度从几十纳米到几微米）、一个提供机械支撑的厚硅衬底，以及将两者隔开的绝缘体二氧化硅“埋氧层”。在薄顶层制造的器件受益于传统块状衬底无法实现的隔离通孔优化技术。在电力电子领域，这些优势包括能够隔离和集成近距离的低压和高压器件，同时氧化物可防止从 pn 结向下的泄漏路径，使横向功率器件能够在 200°C 以上的温度下有效运行。

总的来说，这些衬底由一层薄薄的单晶 SiC 组成，该衬底永久地粘合到（相对）低成本、高掺杂、多晶 SiC 处理衬底上。图 2 中可以看到 SmartSiC 衬底的图像，旁边是制造过程。Soitec 重新使用了他们的 SOI 图形，用单晶 SiC 供体晶片和多晶 SiC 处理晶片代替了 Si 晶片。这有助于将其与 Smart Cut(TM) 工艺进行比较：在单晶 SiC 晶片上植入一种轻元素（可能是氢），然后进行清洁、翻转并粘合到处理晶片上。两次退火，第一次在较低温度下进行，使供体晶片破裂，第二次在较高温度下进行，使粘合永久化，从而留下 SmartSiC 衬底和大部分 SiC 衬底，可以抛光和重复使用。