牛津仪器与日立和华威大学合作改进 SiC MOSFET

牛津仪器（Oxford Instruments）是为研究和工业领域提供高科技产品和服务的领先供应商，它与可持续能源领域的全球技术领导者瑞士日立能源公司和英国华威大学联手，通过使用ALD氧化物来改进SiC功率MOSFET栅极技术。这是旨在加强英国和瑞士在创新和技术合作的26个新项目之一，由Innovate UK提供780万英镑的资金，以及瑞士创新机构Innosuisse的类似资金支持。

瑞士日立能源（日立）在开发汽车级SiC功率MOSFET方面拥有良好的业绩记录，以具有新型MOS接口的产品而闻名。牛津仪器等离子体技术（OIPT）开发了一种新型氧化物沉积工艺，该工艺在商业原子层沉积（ALD）系统中使用远程等离子体源。该工艺适用于在宽带隙半导体中形成栅极氧化物。华威大学（UoW）的一个研究小组最近开发了一种基于ALD SiO2具有商业化潜力的SiC沉积工艺。该项目将汇集这三个团队及其相关的专业知识，以展示ALD 氧化物在形成EV级1.2kV SiC MOSFET方面的潜力。其目的是通过从根本上改变形成器件关键部分（栅极氧化物）的方式，解决该技术应用中最紧迫的问题之一。传统的电介质和SiC接口存在高密度的缺陷状态，阻碍了该技术的进一步应用。

该概念验证项目将展示在商用SiC MOSFET器件中利用ALD沉积氧化物（SiO₂和高介电常数电介质，如氧化铝、Al₂O₃）。

 

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