行业新闻详细内容

14.5亿！安世半导体将新建8英寸SiC和GaN产线

2024/6/28 11:33:39 材料来源：安世半导体

近日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。

同时，硅（Si）二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。这些投资是与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士在生产基地成立100周年之际共同宣布的。

source：安世半导体

为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产。

同月，安世半导体首批高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产。安世半导体指出，下一个里程碑将是建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线，这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。

与此同时，这笔投资还将有助于德国汉堡工厂现有基础设施的进一步自动化，并通过系统地转换到8英寸晶圆来扩大硅生产能力。安世半导体在扩大无尘室面积后，还将新建研发实验室，以继续确保未来从研究到生产的无缝过渡。

安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe评论道：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用的电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列，同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。”

【近期会议】

7月25日14:00，CHIP China 晶芯研讨会即将组织举办主题为“先进半导体量测与检测技术进展与应用”的线上会议。诚邀您上线参会交流答疑，推动先进半导体量测与检测技术的交流与碰撞，欢迎报名：https://w.lwc.cn/s/fuQBbu

声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk