JEDEC发布GaN功率转换器件反向偏压可靠性评估指南

JEDEC固态技术协会（为微电子行业制定标准）发布了《JEP198：氮化镓功率转换器件反向偏压可靠性评估程序指南》。JEP198由JEDEC的JC-70宽带隙功率转换半导体委员会（成立于2017年10月，当时有23家成员公司，现已增至80多家）的JC-70.1氮化镓小组委员会制定，可从JEDEC网站免费下载。

JEP198为评估GaN功率晶体管时变击穿（TDB）可靠性提供了指南。其适用于平面增强型、耗尽型的GaN集成功率解决方案和共源共栅GaN功率晶体管。

该指南涉及使用离态偏压评估GaN功率晶体管时变击穿可靠性的建议应力条件和相关测试参数。高温反向偏压应力和特定应用应力测试的应力条件和测试参数都旨在评估加速应力条件下GaN晶体管的使用寿命可靠性。

Transphorm质量与可靠性副总裁、701_1工作组联合主席Ron Barr表示：“我们日常生活的方方面面越来越依赖于电力电子设备。因此，这些系统背后的技术在不断进步，特定器件的鉴定流程也必须与时俱进。反向偏压可靠性评估新指南以GaN为重点，是实现这一目标的关键一步。”他补充道：“这是GaN半导体和终端产品制造商共同努力的结果......它是确保跨行业一致性的重要框架，最终将为电力系统制造商使用GaN器件进行设计而提供必要的信心。”

JC-70.1主席、VisIC Technologies可靠性与鉴定副总裁Kurt Smith博士表示：“随着可再生能源的兴起和生活的电气化，功率半导体的效率变得越来越重要。正是在这一领域，证实GaN功率半导体是一项有价值的技术。反向偏压可靠性评估指南是又一举措，提高了人们对GaN技术及已上市产品的信心。该文件是由多个公司的行业专家团队合作制定的，代表评估GaN器件的最佳实践。行业专家团队为了达成共识，已历经多年漫长过程，最终制定出高质量文件，为此付出艰苦的努力，值得称赞。”

2月26日，应用电力电子会议暨博览会（APEC 2024）于美国加利福尼亚州长滩举行，在此期间，会召开下一届JC-70委员会会议。