全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线

近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。铌酸锂以其大透明窗口、低传输损耗、良好的光电/压电/非线性等物理性能以及优良的机械稳定性等被认为是理想的光子集成材料，而单晶薄膜铌酸锂则为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了至今为止综合性能最优的解决方案。

随着调制速率要求的提高，薄膜铌酸锂的优势将更加明显，给未来的通信技术带来巨大的潜力。预计2025年后，薄膜铌酸锂将逐渐商业化。根据QYResearch调查报告,全球范围内薄膜铌酸锂调制器市场将在2029年达到20.431亿美元，在2023到2029年期间复合年均增长率达到41%。未来，随着基于铌酸锂的光源、光调制、光探测等重要器件的实现，铌酸锂光子集成芯片有望像硅基集成电路一样，成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台，在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。