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韩国科学技术院团队开发出用于MicroLED的选择性转印技术

2024/2/27 9:24:32 材料来源：雅时

新方法可通过调节微真空吸力转印大量microLED芯片

要想商业化microLED，就必须采用转印技术将microLED芯片从生长衬底重新排列到最终衬底上。然而，目前的方法仍面临许多挑战，如需要额外的粘合剂、错位、转移良率低、芯片损坏。

韩国科学技术院（KAIST）Keon Jae Lee教授的研究团队开发了一种微真空辅助选择性转印（μVAST）技术，通过调节微真空吸力转印大量microLED芯片。

2023年11月26日，介绍这项研究的论文“通过微真空力进行通用选择性转印”发表在《自然通讯》上。

这项关键技术依靠激光诱导蚀刻（LIE）方法，在玻璃衬底上形成20μm大小的高纵横比微孔阵列，制造速度高达每秒7000个孔。通过激光诱导蚀刻方法钻孔后的玻璃与真空通道相连，控制所需孔阵列上的微真空力，以选择性地拾取和释放microLED。

据科学家们介绍，与传统的转印方法相比，微真空辅助转印实现了更高的粘附转换性，可在任意衬底上组装具有不同异质材料、尺寸、形状和厚度的微型半导体，并实现高转印良率。

Keon Jae Lee表示：“微真空辅助转印为大规模、选择性集成微米级高性能无机半导体提供了一种有趣的工具。目前，我们正在研究用喷射系统转印商用microLED芯片，以实现下一代显示器（大屏幕电视、柔性/可伸缩设备）和可穿戴光疗贴片的商业化。”

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