器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和 二者优点的实验晶体管！

HyFET的扫描电子显微镜（SEM）俯视图[a]，清楚地显示了器件的栅极和源极。HyFET的横截面SEM图像[b]，显示了顶部的氮化镓晶体管和下方的 晶体管。其他SEM图像显示了GaN器件的栅极区域[c]以及SiC晶体管的沟道[d和e]。图源：香港科技大学

未参与该研究的宽禁带半导体专家们也对这项技术成果印象深刻。康奈尔大学教授兼实验室负责人、IEEE会士Debdeep Jena表示：“实际上，我对香港陈敬（Kevin Chen）团队的研究成果感到非常兴奋。它有很多优点和前景。”然而，这些专家对该类器件商业前景的看法普遍较为谨慎。

在器件运行中，该器件使用低压高速GaN晶体管来控制高压SiC结型场效应晶体管（JFET）。在传统的SiC JFET中，漏极位于器件底部，连接到衬底。电流垂直流动，由器件顶部的栅极控制，通过“漂移层”到达也在器件顶部的一个或多个源极端子。在HyFET中，基本配置是可以识别的：器件底部有一个漏极，连接到衬底。电流向上流过SiC漂移层。然而，栅极和源极端子位于直接集成在器件顶部SiC JFET上方的GaN晶体管中。因此，流经SiC JFET的电流由器件GaN部分中的栅极和源极端子控制。

这里的优点是，具有高电子迁移率的GaN晶体管控制组合器件的开关。该组合器件建立在SiC JFET的基础上，具有大漂移区，具有SiC的电压阻断能力。测试表明该器件很大程度上满足了研究人员的期望。他们发现，虽然迁移率不如传统GaN器件那么高，但它“适合高频开关”。他们还证明，在“关闭”状态下，该器件可以阻断大约600伏的电压，具体取决于温度，这对于同类首个实验器件来说相当不错。

制造该器件必须克服许多挑战。其中主要的方法之一是直接在SiC晶体管之上生长GaN晶体管。GaN器件通常在SiC衬底上制造。然而，这些器件是“在轴上”生长的，这意味着它们是逐层生长的，每层都平行于衬底。但SiC器件通常是相对于其衬底晶体晶格的方向离轴生长的。因此，研究人员必须设计出一种在SiC器件上生长GaN晶体管的方法，其离轴或“误切”为4度。

为此，他们开发了一种称为双步双轴应变释放的技术。两种不同半导体之间界面的一个基本问题是在两种不同晶体合并的边界处产生的应变。这种应变会在晶格中产生影响性能的缺陷，称为位错。研究人员改进和开发的技术通过两种特定类型的位错释放应变，最大限度地减少其有害影响。

HyFET的缺点之一是晶体管处于导通状态时对电流的阻力。其特定导通电阻（特定R_on）相当高，约为50毫欧姆- cm²。R_on越高意味着整体效率越低。当然，HyFET是在大学实验室中建造的，是同类产品中的首个。

文章作者兼IEEE会士陈敬（Kevin Chen）在一封电子邮件中写道：“我们论文中的大R_on来自小型器件……以及SiC部分非常保守的设计。一般来说，利用工业SiC制造设施实现1,200 V HyFET的 3 mΩ∙cm² (~2.6) 不存在其他障碍。”