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大阪团队称金刚石是GaN最好的朋友

2024/1/19 9:22:13 材料来源：雅时

与SiC衬底上制造的GaN晶体管相比，金刚石衬底上制造的GaN晶体管的散热性能翻了两倍

梁剑波和Naoteru Shigekawa共同领导的研究团队成功在金刚石衬底上制造出GaN HEMT，两人均来自大阪公立大学工学研究生院。

研究团队发现，与SiC衬底上制造的相同形状晶体管相比，这项技术的散热性能翻了两倍多。

为了最大限度利用金刚石的高热导率，研究人员在GaN和金刚石之间集成了3C-SiC层（一种立方多型体SiC）。该技术大大降低了界面的热阻，改善了散热效果。

梁剑波表示：“这项新技术有望大幅减少二氧化碳排放，并可能通过改进的热管理能力彻底改变功率及射频电子的发展。”

参考文献

'High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes' by Ryo Kagawa et al; Small (2023)

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