RFMD® 宣布为代工客户提供新的 pHEMT 处理技术

RFMD® 宣布为代工客户提供新的 pHEMT 处理技术

      北卡罗来纳州、G r e e n s b o r o ，2 0 1 1 年 7 月 1 9 日 —— 高性能射频组件以及复合半导体技术

      设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，其代工服

      务业务部门已扩展其处理技术组合，可提供两项额外的砷化镓处理技术 —— RFMD FD25 低噪音 pHEMT 处

      理技术及 RFMD FET1H 切换 pHEMT 处理技术。代工客户可随时获得这两项额外的砷化镓 pHEMT 处理技

      术。

      RFMD 0.25微米 FD25 pHEMT处理技术可实现低噪音、中等功率和高线性，尤其适合低噪音前端和发射

      器 MMIC 等应用。RFMD 0.6 微米 FET1H pHEMT 处理技术可实现 RF 信号的低噪音和高线性切换，尤其适

      合无线前端、发射/接收模块以及相控天线阵等应用。

      这两项新处理技术可补充现有的 RFMD 0.3 微米 FD30 pHEMT 处理技术，该技术于 2010 年向代工客

      户提供，现已优化，可用于 X 频段相控天线阵功率放大器及 8-16 千兆赫宽带军事战争电子干扰发射机等

      应用。

      在终端应用要求更高整合度的驱动下，借助领先的半导体技术，无线通信、航空和国防、以及雷达/雷

      达干扰发射机市场在世界范围内继续保持迅猛增长。这增加了半导体代工对开发和提供灵活、高性能世界

      级技术的需求。RFMD 低噪音 FD25 和高线性切换FET1H 技术以及现有的RFMD FD30 0.3μm 电源处理技术，

      可为客户提供设计和制造世界级器件的能力，以满足广泛的应用需求。

      RFMD 多市场产品组总裁 (MPG) Bob Van Buskirk 说道：“我们推出的 FD25 0.25μm 和 FET1H 0.6μm

      处理技术进一步拓展了我们为无线行业提供技术先进的半导体代工服务的目标。我们很高兴能够超出我们

      当前的氮化镓和砷化镓产品范围来扩展和发展代工服务业务，帮助客户满足他们特定的市场和产品需

      求。”

      更多关于 RFMD 代工服务的信息，请发送邮件至 RFMDFoundryServices@rfmd.com。

      关于 R F M D

      RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代号：RFMD）是高性能射频组件以及复合半导体技术设计和

      制造领域的全球领导者。RFMD 实现全球移动性，提供加强的连接性，支持蜂窝手持设备、无线基础设施、

      无线本地局域网 (WLAN)、CATV/宽频以及航空和国防应用的先进功能。RFMD 半导体技术多样化产品组合以

      及 RF 系统专业技术享有业界知名度，是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商中的首选

      供应商。

      RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具

      ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有

      关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。