三星在200mm硅片上开发氮化物LED

根据Bridgelux的引导，韩国LED制造商三星正在开发一种在200mm硅片上制造LED的工艺

      三星先进科技研究院（SAIT, Samsung Advanced Institute of Science and Technology）已经开发一种在200mm硅片上制造LED的工艺，使用这种工艺平台代替目前广泛LED制造使用的蓝宝石衬底，据说可以节约LED沉积和处理的成本。

      SAIT在第九届氮化物半导体国际会议上提交的一篇论文描述了这种采用65％内部量子效率的制造外延结构LED的方法。由于两种材料的晶格常数和热膨胀系数不同，所以在硅上生长GaN层不容易。

      SAIT通过创造一个无缝模板，利用AlN/AlGaN缓冲层、中间层和n型GaN层解决了这两个问题。在这个模板上，工程师已经创造了LED结构，5量子阱和p型AlGaN 电子阻隔层。生产的外延片光致发光在标准背离10.3nm时，平均发射波长为429.5nm的光。

      温度相关的光致发光测量表明LED内部子效率为65%。

      研究团队还使用了衬底转移技术，以制造垂直型vertical-LED芯片从8英寸外延片。