技术文章
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相较于传统体硅材料制造的功率器件，以GaN、SiC为代表的第三代 凭借其卓越的电流密度及击穿电压，逐渐成为下一代功率开关器件。 转向单片多色microLED阵列的隧道结 2024-8-28
隧道结解决了在等离子蚀刻p型表面上产生欧姆接触的挑战 实现垂直型深紫外激光器 2024-8-28
具有垂直结构的深紫外激光器有望解决电流注入相关问题 利用深紫外光推进通信的发展 2024-8-14
利用深紫外光进行无线光通信具有很大的吸引力：深紫外光具备不可见性，因此安全性很高；大气层的滤光作用较强，因此光源的背景噪声很低；对深紫外光的吸收不像红外光那么严重，有助于延长传输距离... JMST：氢终端金刚石表面二维空穴气形成机理取得重... 2024-8-14
武汉大学刘胜院士团队在氢终端金刚石表面二维空穴气的固态转移掺杂机理取得重要进展。 双势垒阳极结构实现0.36 V导通电压时10 kV击穿电压... 2024-8-14
来自南京大学的南京大学陈鹏/张荣团队，通过从分析肖特基势垒的耗尽机制出发设计制备了双势垒阳极结构AlGaN/GaN SBD，提出了由具有高功函数（铂Pt，5.65 eV）和低功函数（钽Ta，4.25 eV）组成的双... Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武... 2024-7-26
在功率转换中，效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量，并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。 Marangoni干燥技术的新应用 2024-7-4
半导体干燥技术广泛应用于半导体制造的各个环节。在半导体材料的切割、研磨和清洗过程中，都需要使用半导体干燥技术来去除材料表面的水分。此外，在半导体器件的制作过程中，也需要使用半导体干燥... VCSEL技术和产业化进展 2024-7-3
近日通快光电器件，全球工业激光热处理VCSEL解决方案领导者，在近日举行的Photonics West上展示了最新的TruHeat VCSEL产品，它可应用于区域性加热和电子交通领域。基于VCSEL的激光加热系统为工业... 基于非极性氮化铝单晶薄膜的高速表面声波和横向体... 2024-6-27
为了发挥氮化铝（AlN）在GHz频段的高频性能优势，人们往往需要借助氮化铝c轴的压电性能和高声速（约11350 m/s）特征。 半绝缘半导体电阻率、迁移率和载流子浓度的非接触... 2024-6-27
摘要：用非破坏性的非接触法（TDCM）代替常规的霍尔法（Hall），无损、快速地测量半绝缘半导体单晶片的电阻率、迁移率和载流子浓度分布。 通过氧气等离子体处理的超低导通电压（0.37V）垂直... 2024-6-17
在这项研究中，展示了具有超低导通电压VON (0.37 V)的垂直氮化镓(GaN)肖特基势垒二极管(SBD)。由于O2等离子体处理(OPT)工艺，在GaN表面形成了GaON，进一步改变了材料表面的表面电位，使VON从0.62... 基于NX封装的低杂感SiC MOSFET模块 2024-6-17
功率模块从硅IGBT技术过渡到基于SiC MOSFET技术是不可避免的。然而，从硅IGBT时代留下来的外形尺寸偏好仍然阻碍着SiC技术的商业化，因为它们已经被认为具有较高的寄生电感。三菱电机打破了这一僵... Micro-LED技术研究进展 2024-6-4
随着以AR/VR为代表的新型微显示技术蓬勃发展，具有超高色彩度与分辨率的微显示技术成为工业界和学术界的共同追求。 基于晶圆级高导热异质集成衬底的氧化镓射频晶体管... 2024-6-4
氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表，由于其禁带宽度和击穿场强远高于GaN，不仅可在更高场强、更高工作电压下工作，大幅度提升输出功率密度，还可实现在高温、强辐照等极端环境下的应用。 为什么CMOS 2.0是摩尔定律的下一个阶段 2024-5-31
互补金属氧化物半导体（CMOS）是支持几十年来小型晶体管和更快速计算机的硅逻辑技术，该技术正在进入一个新阶段。 先进封装之于 ——大有用武之地 2024-5-29
半导体材料的演进已历经三代，第一代的硅（Si）、锗（Ge）；第二代的砷化综（GaAs）、磷化铟（InP）；第三代的 （SiC）、氮化镓（GaN）。目前，全球95%以上的集成电路（IC）是基于硅晶圆生产... β-Ga2O3器件的液体雾化外延法 2024-4-18
利用液体雾化外延法（mist epitaxy）生产的β-Ga2O3 MESFET验证了这种低成本生长技术的前景 基于自对准Mesa终端成功制备了高性能PtOx/β-Ga2O... 2024-4-18
来自中国科学技术大学的韩照博士，通过将Mesa终端与能够和β-Ga2O3形成高势垒的PtOX电极有机结合，并开发原位退火刻蚀方案， 改进氮化镓衬底减薄技术 2024-4-3
日本大阪大学（Osaka University）的工程师们宣称，他们利用氢基等离子体对氮化镓（GaN）衬底进行减薄的技术取得了新突破。
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