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TriQuint推出四款新放大器,采用创新封装来简化组装

     

中国 上海 20121220 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块,提供高输出功率、增益及效率,覆盖频率范围为6-38 GHz。其中每款新放大器的封装都更方便进行组装,包括支持多层印刷电路板布局的设计。TriQuint新的放大器是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。

这四款新放大器包括:TGA2502-GSG3.6W [CW]13-16 GHz,适用于VSAT系统);TGA2575-TS3W [CW]32-38 GHz,适用于通信系统);TGA2704-SM7W [CW]9-11 GHz,适用于微波无线电)以及TGA2710-SM7W [CW]9.5-12 GHz,亦适用于微波无线电)。

The TGA2575-TS is the latest addition to TriQuint’s Die-on-Tab product family, which makes it easier for manufacturers to handle die-level devices and assemble components by placing semiconductor FETs or MMIC amplifiers on thermal spreadTGA2575-TSTriQuintDie-on-Tab产品系列的最新成员,它令制造商更易于通过将半导体FETMMIC放大器放在均热器上来处置晶粒级器件和组装元件。通过真空回流焊工艺建立晶粒和基础之间的焊接。这些焊接几乎无空隙且热稳定性很高。TGA2575-TS和所有die-on-tab产品都在工厂进行严格检验,来提供全面质量保证和更高的有效产率。

技术规格: 新封装砷化镓pHEMT解决方案

TGA2502-GSG

13-16 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:2.8W20dB大信号增益;25dB小信号增益;效率为25%;在1.3A7V14引线法兰贴装封装。

TGA2575-TS

32-38 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:3W19dB小信号增益;功率附加效率为22%;在2.1A6VTGA2575晶粒贴装在一个8.92x5.31mm的均热器上。

TGA2704-SM

9-11 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W19dB大信号增益;22dB 小信号增益;功率附加效率为40%;在1.05A9V7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。

TGA2710-SM

9.5-12 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W19dB大信号增益;20dB小信号增益;功率附加效率为36%;在1.05A9V7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。

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