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新洁能SiC/GaN功率器件及封测研发及产业化项目延期

材料来源：新洁能

新洁能近日发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。

公告显示，此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响，项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响，无法在计划时间内完成。

据此前消息，此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目，项目总投资约2.23亿元，2022年开建，原计划2024年建设完成。项目建成后，将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。

新洁能强调，本次募投项目延期仅涉及项目进度的变化，不会对项目的实施造成实质性影响，也不会对公司的正常经营产生重大影响。

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