三星公布最新先进工艺技术路线图 2nm工艺竞争升级

近日，三星在美国加州圣何塞举行的三星晶圆代工论坛(SFF)上表示，在过去一年中，三星代工的AI需求相关销售额增长了80%，预计到2028年，其AI芯片代工客户数量将比2023年增加4倍，代工销售额将比2023年增加9倍。三星还公布了其最新的工艺技术路线图，包括两个新的工艺节点—SF2Z和SF4U，并且将为其代工客户提供全面的“一站式”人工智能解决方案。

三星发布的最新先进制程工艺技术路线图

据了解，三星此次发布的最新2nm工艺节点SF2Z采用了优化的背面供电网络(BSPDN)技术，将电源轨置于晶圆背面，以降低供电电路对互联信号电路的干扰。与第一代2nm节点SF2相比，SF2Z在提高功率、性能和面积的同时，还可以降低电压，从而提高HPC设计的性能，该技术预计将于2027年实现量产。此次发布的另一个工艺节点SF4U是一种4nm变体，通过结合光学缩小来提供PPA改进，计划于2025年实现量产。

三星还透露了其SF1.4（1.4纳米）的准备工作目前进展顺利，有望在2027年达成性能和良率目标并实现量产。三星还将通过材料和结构创新，积极塑造1.4纳米以下的未来工艺技术。

而三星的两位老对手此前也公布了其先进制程的路线图，台积电计划在2025年推出工艺节点N2（2nm工艺）。台积电表示，N2将是台积电首个使用全栅极（GAA）纳米片晶体管的生产节点，这将显著提高其性能、功耗和面积（PPA）特性。与N3E相比，在N3上生产的半导体可将功耗降低25%~30%，将性能提高10%~15%，并将晶体管密度提高15%。2026年，台积电将推出N2P（性能增强型2纳米级）和A16（具有背面功率传输功能的1.6纳米级），分别针对智能手机和高性能计算应用。

台积电的先进工艺技术路线图

英特尔早在2021年就提出了“四年五个节点”计划，即四年内完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A（可对应7nm～1.8nm工艺）五个节点。英特尔首席执行官帕特・基辛格表示，英特尔的Intel 20A（2纳米）和18A（1.8nm）将如期上市，是业内首批采用PowerVia背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。英特尔在今年2月拓展了制程技术路线图，新增了Intel 14A（1.4nm工艺）和数个专业节点的演化版本。三家在先进制程上的进度可以说是互不相让。

三星还在会上强调了其GAA技术,计划在今年下半年量产其第二代3nm工艺(SF3)，并在即将推出的2nm工艺上实现GAA。

在人工智能解决方案方面，三星将于2027年推出一个整合代工、内存和AVP业务等各个业务优势的人工智能平台（AI Solution），具备高性能、低功耗和高带宽等特点，还可根据特定的人工智能需求进行定制。

 

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