中微等离子体刻蚀设备 Primo AD-RIE(TM) 运抵中芯国际

中微第二代等离子体刻蚀设备首次在中国试运安装；用于32纳米至28纳米芯片加工

上海和旧金山2012年3月20日电 /美通社亚洲/ -- 中微半导体设备有限公司（以下简称“中微”）于 SEMICON China 展会期间宣布，中微第二代等离子体刻蚀设备 Primo AD-RIE™ 正式装配国内技术最先进的集成电路芯片代工企业中芯国际，用于32纳米至28纳米及更先进的芯片加工。这是继去年 SEMICON West 展会期间 Primo AD-RIE™ 正式发布以来，中微 Primo AD-RIE™ 设备首次进入中国大陆客户生产线。目前，中微第一代等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE™ 已在中国建立了稳固的市场地位。Primo AD-RIE™ 设备也已进入台湾客户的生产线。

到目前为止，中微的刻蚀设备已进入11家客户的14条芯片生产线，客户涵盖中国大陆、台湾、新加坡和南韩等地的整合器件制造商（IDM）、晶圆代工厂、芯片封装厂等。这其中也包括中微近日发布的 TSV 硅通孔刻蚀设备 Primo TSV200E™，为中微开辟了新的市场。综合来看，中微的设备均拥有生产率高、工艺性能出色、操作简便、成本竞争优势明显等优点。随着亚洲地区对半导体设备的需求日渐增长，中微不断拓展产品线使之日趋多元化，从而迈入了快速发展的轨道，2011年中微的销售额较2010年增长了两倍多。同时，为了满足企业自身发展的需求，中微位于上海的二期大楼也将竣工，届时将增加10,000平方米的生产基地。

Primo AD-RIE™ 设备是中微第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备，可满足多种关键生产工艺要求。继第一代已被业界广泛认可的 Primo D-RIE™ 之后，Primo AD-RIE™ 采用了更多技术创新点，以解决生产复杂的22纳米至14纳米芯片所带来的挑战，同时确保芯片加工的质量。这些技术创新点包括：可切换频率的射频系统保证了刻蚀的灵活性和可重复性，更好的调谐能力确保了超精细关键尺寸的均匀度和可重复性，改良的反应室室内材料减少了工艺缺陷并降低了成本消耗。

“我们很高兴中微在中国的第一台 Primo AD-RIE™ 设备能进入国内领先的晶圆代工厂，”中微副总裁兼刻蚀产品事业群总经理朱新萍说道，“与中微第一代产品类似，Primo AD-RIE™ 设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%以上，占地面积较其他同类设备减少了30%以上，并能使加工晶圆的成本降低20%至40%，Primo AD-RIE™ 设备已成为市场上生产率最高、单位投资产出率最高的先进刻蚀设备，用于各种关键及通常的工艺应用。”

欲了解更多关于 Primo AD-RIE™ 的信息，请访问 www.amec-inc.com/products/ADRIE.php。